2013年，ILSI收購了MMD Monitor / Quartztek。MMD Monitor / Quartztek的收購使我們現(xiàn)有的32.768K系列頻率控制打印位置和活躍的客戶群翻了一番。ILSI收購MMD的行為不會(huì)中斷我們的客戶供應(yīng)鏈。ILSI現(xiàn)在在加利福尼亞州南部的MMD Monitor Monitor / Quartztek所在地的銷售水平顯著提高，因此2013年需要開設(shè)兩個(gè)新的區(qū)域銷售辦事處，負(fù)責(zé)處理洛杉磯，加利福尼亞州，加利福尼亞州奧蘭治縣和加利福尼亞州圣地亞哥的地區(qū)。
    ILSI和MMD Monitor / Quartztek品牌作為ILSI-MMD Inc.基礎(chǔ)設(shè)施下的品牌實(shí)體進(jìn)行了積極的營銷和銷售。通過無源晶振增長(zhǎng)和收購帶來的銷量增加需要重新調(diào)整我們的銷售渠道，以更好地管理我們的全球客戶群。ILSI-MMD Inc.銷售渠道由全球24個(gè)地區(qū)代表組成，覆蓋50個(gè)美國，加拿大西部和東部，墨西哥，亞洲，英國，波蘭，德國，法國，意大利，奧地利和南美洲中的45個(gè)。銷售渠道還受到由多國一級(jí)分銷商，地區(qū)分銷，美國分類目錄和歐洲分類目錄組成的分銷基礎(chǔ)設(shè)施的支持; 共有8家專營分銷渠道合作伙伴。進(jìn)口SMD石英晶體,大型8038無源晶振,IL3M晶振

      ILSI晶振,貼片晶振,IL3M晶振,進(jìn)口石英晶振,小型貼片石英晶振,外觀尺寸具有薄型表面貼片型石英晶體諧振器,特別適用于有小型化要求的市場(chǎng)領(lǐng)域,比如智能手機(jī),無線藍(lán)牙,平板電腦等電子數(shù)碼產(chǎn)品.晶振本身超小型,薄型,重量輕,晶體具有優(yōu)良的耐環(huán)境特性,如耐熱性,耐沖擊性,在辦公自動(dòng)化,家電相關(guān)電器領(lǐng)域及Bluetooth,Wireless LAN等短距離無線通信領(lǐng)域可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求.
    石英晶振高精度晶片的拋光技術(shù)：貼片晶振是目前晶片研磨技術(shù)中表面處理技術(shù)的最高技術(shù)，最終使晶振晶片表面更光潔，平行度及平面度更好，降低諧振電阻，提高Q值。從而達(dá)到一般研磨所達(dá)不到的產(chǎn)品性能，使石英晶振的等效電阻等更接近理論值，使晶振可在更低功耗下工作。使用先進(jìn)的牛頓環(huán)及單色光的方法去檢測(cè)晶片表面的狀態(tài)。進(jìn)口SMD石英晶體,大型8038無源晶振,IL3M晶振

    一般來說，微處理器的振蕩電路由考畢茲電路顯示派生如下：鎘和CG是外部負(fù)載電容，其中已建成的芯片組。 （請(qǐng)參閱芯片組的規(guī)格）Rf為具有200KΩ?1MΩ反饋電阻,貼片石英晶體的內(nèi)置芯片一般設(shè)置。Rd為限流電阻470Ω與1KΩ?。這個(gè)阻力是沒有必要的公共電路，但僅用于具有高電源電路。ILSI晶振,貼片晶振,IL3M晶振,進(jìn)口石英晶振

    一個(gè)穩(wěn)定的振蕩電路需要的負(fù)電阻，其值應(yīng)是無源石英晶振阻力的至少五倍。它可寫為|-R|>5的Rr。例如，為了獲得穩(wěn)定的振蕩電路中，IC的負(fù)電阻的值必須小于？200Ω時(shí)的晶振電阻值是40Ω。負(fù)阻“的標(biāo)準(zhǔn)來評(píng)估一個(gè)振蕩電路的質(zhì)量。在某些情況下，例如老化，熱變化，電壓變化，以及等等，電路可能不會(huì)產(chǎn)生振蕩的“Q”值是低的。因此，這是非常重要的衡量負(fù)電阻（-R）以下說明：

    線路連接的電阻（R）與晶體串聯(lián)（2）從起點(diǎn)到振蕩的停止點(diǎn)調(diào)整R的值。（3）振蕩期間測(cè)量R的值。（4）你將能夠獲得負(fù)電阻的值，|•R|= R +的Rr，和RR =晶振的阻力。附：所連接的電路的雜散電容，可能會(huì)影響測(cè)定值。如果小型貼片晶振的參數(shù)是正常的，但它不工作穩(wěn)步振蕩電路中，我們將不得不找出IC的電阻值是否過低驅(qū)動(dòng)電路。如果是這樣的話，我們有三種方法來改善這樣的情況：降低外部電容（Cd和CG）的值，并采用其他晶振具有較低負(fù)載電容（CL）。采用具有較低電阻（RR）的晶振。使用光盤和CG的不等價(jià)的設(shè)計(jì)。我們可以增加鎘（XOUT）的負(fù)載電容和降低CG（辛）的負(fù)載電容以提高從辛波形幅度將在其后端電路中使用的輸出。進(jìn)口SMD石英晶體,大型8038無源晶振,IL3M晶振

    振蕩補(bǔ)償:除非在32.768K常規(guī)頻點(diǎn)晶體振蕩電路中提供足夠的負(fù)極電阻，否則會(huì)增加振蕩啟動(dòng)時(shí)間，或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生，請(qǐng)?jiān)陔娐吩O(shè)計(jì)時(shí)提供足夠的負(fù)極電阻。ILSI晶振,貼片晶振,IL3M晶振,進(jìn)口石英晶振

    測(cè)試條件:(1)電源電壓:超過 150µs，直到電壓級(jí)別從 0 %達(dá)到 90 % 。電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2)其他:輸入電容低于 15 pF5倍頻率范圍或更多測(cè)量頻率。鉛探頭應(yīng)盡可能短。測(cè)量8038貼片晶振頻率時(shí)，探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過振蕩器的放大器時(shí)，可同時(shí)進(jìn)行測(cè)量。(3)其他:CL包含探頭電容。應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。使用微型插槽，以觀察波形。（請(qǐng)勿使用該探頭的長(zhǎng)接地線）.

    晶體諧振腔的形式模式，但泛音振蕩或基波。振蕩開始代替。在32.768K低頻石英晶振基本諧振的情況下（MHz頻段）反饋電阻通常是1米?。在泛音諧振器（兆赫頻帶）的情況下，值取決于IC和頻率特性，但在幾個(gè)范圍內(nèi)。K?-?幾十K。在音叉式諧振器的案例（kHz頻段），需要連接一個(gè)電阻10米或更?。限制流入諧振器的電流，調(diào)節(jié)負(fù)電阻和勵(lì)磁。電平，防止諧振腔的反常振蕩，抑制頻率波動(dòng)。C1、C2電容器調(diào)節(jié)負(fù)電阻、勵(lì)磁電平和振蕩頻率。還設(shè)置有給定負(fù)載能力。
     適當(dāng)?shù)目刂齐娮柚担≧D）取決于8038晶體諧振器的類型，頻帶和設(shè)備的價(jià)值。電容器（C1，C2）。精確值是通過測(cè)量振蕩電路的特性來確定的（包括負(fù)電阻和驅(qū)動(dòng)級(jí)）。AT切割諧振器（兆赫頻帶）的參考值在幾個(gè)范圍內(nèi)。?幾K?。音叉式諧振器（kHz頻段）的參考值在100 K?幾K?范圍。安裝電容器的適當(dāng)值取決于諧振器的類型、頻帶、控制電阻器的值和振蕩的順序，在3 pF的范圍內(nèi)- 33 pF左右，僅供參考。進(jìn)口SMD石英晶體,大型8038無源晶振,IL3M晶振

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