2013年，ILSI收購(gòu)了MMD Monitor / Quartztek。MMD Monitor / Quartztek的收購(gòu)使我們現(xiàn)有的全球晶振頻率控制打印位置和活躍的客戶群翻了一番。ILSI收購(gòu)MMD的行為不會(huì)中斷我們的客戶供應(yīng)鏈。ILSI現(xiàn)在在加利福尼亞州南部的MMD Monitor Monitor / Quartztek所在地的銷售水平顯著提高，因此2013年需要開設(shè)兩個(gè)新的區(qū)域銷售辦事處，負(fù)責(zé)處理洛杉磯，加利福尼亞州，加利福尼亞州奧蘭治縣和加利福尼亞州圣地亞哥的地區(qū)。
   ILSI和MMD Monitor / Quartztek品牌作為ILSI-MMD Inc.基礎(chǔ)設(shè)施下的品牌實(shí)體進(jìn)行了積極的營(yíng)銷和銷售。通過增長(zhǎng)和收購(gòu)帶來的銷量增加需要重新調(diào)整我們的石英晶體銷售渠道，以更好地管理我們的全球客戶群。ILSI-MMD Inc.銷售渠道由全球24個(gè)地區(qū)代表組成，覆蓋50個(gè)美國(guó)，加拿大西部和東部，墨西哥，亞洲，英國(guó)，波蘭，德國(guó)，法國(guó)，意大利，奧地利和南美洲中的45個(gè)。銷售渠道還受到由多國(guó)一級(jí)分銷商，地區(qū)分銷，美國(guó)分類目錄和歐洲分類目錄組成的分銷基礎(chǔ)設(shè)施的支持; 共有8家專營(yíng)分銷渠道合作伙伴。插件49S焊接型晶振,低消耗金屬面晶振,HC49US晶振

     ILSI晶振,石英晶振,HC49US晶振,插件進(jìn)口晶振,引腳焊接型石英晶體元件.工廠倉(cāng)庫(kù)長(zhǎng)時(shí)間大量庫(kù)存常用頻點(diǎn),高精度的頻率和晶振本身更低的等效串聯(lián)電阻,常用負(fù)載電容.49/S石英晶振,因插件型晶體成本更低和更高的批量生產(chǎn)能力,主要應(yīng)用于電視,機(jī)頂盒,LCDM和游戲機(jī)家用常規(guī)電器數(shù)碼產(chǎn)品等的最佳選擇.符合RoHS/無鉛.

    注重所使用水晶、研磨砂的選擇等；注重無源晶振研磨用工裝如：游輪的設(shè)計(jì)及選擇，從而使研磨晶振晶片在平面度、平行度、彎曲度都有很好的控制，最終使可研磨的石英晶振晶片的厚度越來越薄，貼片晶振晶片的頻率越來越高，為公司在高頻石英晶振的研發(fā)生產(chǎn)打下堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)，提升了晶振廠家的競(jìng)爭(zhēng)力，使晶振廠家高頻石英晶振的研發(fā)及生產(chǎn)領(lǐng)先于國(guó)內(nèi)其它公司。插件49S焊接型晶振,低消耗金屬面晶振,HC49US晶振

      小體積晶振產(chǎn)品的設(shè)計(jì)和生產(chǎn)直到出廠,都會(huì)經(jīng)過嚴(yán)格的測(cè)試檢測(cè)來滿足它的規(guī)格要求。通過嚴(yán)格的出廠前可靠性測(cè)試以提供高質(zhì)量高的可靠性的石英晶振.但是為了石英晶振的品質(zhì)和可靠性,必須在適當(dāng)?shù)臈l件下存儲(chǔ),安 裝,運(yùn)輸。請(qǐng)注意以下的注意事項(xiàng)并在最佳的條件下使用產(chǎn)品,我們將對(duì)于客戶按自己的判斷而使用石英晶振所導(dǎo)致的不良不負(fù)任何責(zé)任。ILSI晶振,石英晶振,HC49US晶振,插件進(jìn)口晶振
     機(jī)械振動(dòng)的影響:當(dāng)無源插件晶振產(chǎn)品上存在任何給定沖擊或受到周期性機(jī)械振動(dòng)時(shí),比如：壓電揚(yáng)聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會(huì)受到影響。這種現(xiàn)象對(duì)通信器材通信質(zhì)量有影響。盡管晶振產(chǎn)品設(shè)計(jì)可最小化這種機(jī)械振動(dòng)的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進(jìn)行操作。 
     存儲(chǔ)事項(xiàng):(1) 在更高或更低溫度或高濕度環(huán)境下長(zhǎng)時(shí)間保存晶振時(shí),會(huì)影響頻率穩(wěn)定性或焊接性。請(qǐng)?jiān)谡囟群蜐穸拳h(huán)境下保存這些石英DIP晶振產(chǎn)品,并在開封后盡可能進(jìn)行安裝,以免長(zhǎng)期儲(chǔ)藏。 正常溫度和濕度： 溫度：+15°C 至 +35°C,濕度 25 % RH 至 85 % RH。 (2) 請(qǐng)仔細(xì)處理內(nèi)外盒與卷帶。外部壓力會(huì)導(dǎo)致卷帶受到損壞。插件49S焊接型晶振,低消耗金屬面晶振,HC49US晶振

    振蕩頻率測(cè)量:必須盡可能地測(cè)量安裝在進(jìn)口49S晶體諧振器電路上的的振蕩頻率的真實(shí)值，使用正確的方法。在振蕩頻率的測(cè)量中，通常使用探頭和頻率計(jì)數(shù)器。然而,我們的目標(biāo)是通過限制測(cè)量工具對(duì)振蕩電路本身的影響來測(cè)量。有三種頻率測(cè)量模式，如下面的圖所示（圖）。2, 3和4）。最精確的測(cè)量方法是通過使用任何能夠精確測(cè)量的頻譜分析儀來實(shí)現(xiàn)的。ILSI晶振,石英晶振,HC49US晶振,插件進(jìn)口晶振

     接觸振蕩電路:探針不影響圖2，因?yàn)榫彌_器的輸出是通過49S插件石英諧振器輸入振蕩電路的輸出來測(cè)量的。逆變器進(jìn)入下一階段。探針不影響圖3，因?yàn)樵贗C上測(cè)量緩沖器輸出（1/1、1/2等）。圖4示出了來自ic的無緩沖器輸出接收的情況，由此通過小尺寸測(cè)量來最小化探針的效果。輸出點(diǎn)之間的電容（3 pF以下XTAL終端IC）和探針。然而，應(yīng)該注意到，使用這種方法輸出波形較小，測(cè)量不能依賴于即使示波器能檢查振蕩波形，頻率計(jì)數(shù)器的靈敏度也可以。在這種情況下，使用放大器來測(cè)量。

    驅(qū)動(dòng)能力:驅(qū)動(dòng)能力說明金屬扁殼封裝晶振振蕩晶體單元所需電功率，其計(jì)算公式如下：驅(qū)動(dòng)能力 (P) = i2?Re其中i表示經(jīng)過晶體單元的電流，Re表示晶體單元的有效電阻，而且 Re=R1（1+Co/CL）.

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