ILSI晶振,貼片晶振,HC49USM晶振,石英晶振
頻率:3.2~100MHZ
尺寸:13.3*4.7mm
ILSI America成立于1987年,總部位于加州科斯塔梅薩。當時的商業(yè)模式很簡單,成為石英晶體和時鐘振蕩器的供應商,以支持北美頻率控制市場,在隨后的29年中,隨著全球頻率控制產品市場需求呈指數級增長和全球化,ILSI通過有機增長和收購應對不斷變化的市場和客戶群。
1995年,ILSI北京中國辦事處開業(yè)。1998年,ILSI晶振美國公司搬遷到它現在的位置,這是一個位于內華達州里諾的10,000平方英尺的世界總部。1999年,ILSI香港中海物流中心開業(yè)。2007年ILSI韓國辦事處的開業(yè)完成了我們在美國和亞洲提供真正實體店的目標,這些實體由直接員工提供,以支持我們在北美,墨西哥,亞洲和歐洲快速增長的客戶群。橢圓型石英諧振器,進口無源49SMD晶體,HC49USM晶振
ILSI晶振,貼片晶振,HC49USM晶振,石英晶振,普通石英晶振,外觀完全使用金屬材料封裝的,產品本身采用全自動石英晶體檢測儀,以及跌落,漏氣等苛刻實驗.產品本身具有高穩(wěn)定性,高可靠性的石英晶體諧振器,焊接方面支持表面貼裝,外觀采用金屬封裝,具有充分的密封性能,晶振本身能確保其高可靠性,采用編帶包裝,可對應產品應用到自動貼片機告訴安裝,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.
石英晶振的研磨技術:通過對晶振切割整形后的晶片進行研磨,使石英晶振的晶片達到(厚度/頻率)的一定范圍。石英晶振晶片厚度與頻率的關系為:在壓電晶體行業(yè),生產晶振頻率的高低是顯示鴻星技術水平的一個方面,通過理論與實際相結合,累積多年的晶振研磨經驗,通過深入細致地完善石英晶振研磨工藝技術,注重貼片晶振研磨過程的各種細節(jié),注重晶振所用精磨研磨設備的選擇;橢圓型石英諧振器,進口無源49SMD晶體,HC49USM晶振
ILSI晶振 |
單位 |
HC49USM晶振 |
石英晶振基本條件 |
標準頻率 |
f_nom |
3.2~100MHZ |
標準頻率 |
儲存溫度 |
T_stg |
-40°C~+85°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-0°C~+70°C |
標準溫度 |
激勵功率 |
DL |
50μW Max. |
推薦:100μW |
頻率公差 |
f_— l |
±30× 10-6 |
+25°C 對于超出標準的規(guī)格說明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±50× 10-6/-30°C~+85°C |
超出標準的規(guī)格請聯系我們. |
負載電容 |
CL |
18PF |
不同負載電容要求,請聯系我們. |
串聯電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C~+85°C, DL = 100μW |
頻率老化 |
f_age |
±5× 10-6/year Max. |
+25°C,第一年 |
耐焊性:將進口無源晶振加熱包裝材料至+150°C以上會破壞產品特性或損害產品。如需在+150°C以上焊接石英晶振,建議使用SMD晶振產品。在下列回流條件下,對石英晶振產品甚至SMD貼片晶振使用更高溫度,會破壞晶振特性。建議使用下列配置情況的回流條件。安裝這些貼片晶振之前,應檢查焊接溫度和時間。同時,在安裝條件更改的情況下,請再次進行檢查。如果需要焊接的晶振產品在下列配置條件下進行焊接,請聯系我們以獲取耐熱的相關信息。ILSI晶振,貼片晶振,HC49USM晶振,石英晶振
所有金屬石英晶振和實時時鐘模塊都以IC形式提供。噪音:在電源或輸入端上施加執(zhí)行級別(過高)的不相干(外部的)噪音,可能導致會引發(fā)功能失常或擊穿的閉門或雜散現象。電源線路:電源的線路阻抗應盡可能低。輸出負載:建議將石英晶振輸出負載安裝在盡可能靠近振蕩器的地方(在20 mm范圍之間)。音叉型晶體諧振器,2012無源音叉晶振,TF20晶振
未用輸入終端的處理:未用針腳可能會引起噪聲響應,從而導致非正常工作。同時,當P通道和N通道都處于打開時,電源功率消耗也會增加;因此,請將未用輸入終端連接到VCC 或GND。熱影響:重復的溫度巨大變化可能會降低受損害的石英SMD晶振產品特性,并導致塑料封裝里的線路擊穿。必須避免這種情況。安裝方向:振蕩器的不正確安裝會導致故障以及崩潰,因此安裝時,請檢查安裝方向是否正確。通電:不建議從中間電位和/或極快速通電,否則會導致無法產生振蕩和/或非正常工作。橢圓型石英諧振器,進口無源49SMD晶體,HC49USM晶振
晶體諧振腔的形式模式,但泛音振蕩或基波。振蕩開始代替。在49S大型兩腳諧振器基本諧振的情況下(MHz頻段)反饋電阻通常是1米?。在(兆赫頻帶)的情況下,值取決于IC和頻率特性,但在幾個范圍內。K?-?幾十K。在的案例(kHz頻段),需要連接一個電阻10米或更?。限制流入諧振器的電流,調節(jié)負電阻和勵磁。電平,防止諧振腔的反常振蕩,抑制頻率波動。C1、C2電容器調節(jié)負電阻、勵磁電平和振蕩頻率。還設置有給定負載能力。ILSI晶振,貼片晶振,HC49USM晶振,石英晶振
適當的控制電阻值(RD)取決于的類型,頻帶和設備的價值。電容器(C1,C2)。精確值是通過49SMD石英晶體測量振蕩電路的特性來確定的(包括負電阻和驅動級)。AT切割諧振器(兆赫頻帶)的參考值在幾個范圍內。?幾K?。音叉式諧振器(kHz頻段)的參考值在100 K?幾K?范圍。安裝電容器的適當值取決于諧振器的類型、頻帶、控制電阻器的值和振蕩的順序,在3 pF的范圍內- 33 pF左右,僅供參考。
負載電容:如果振蕩電路中負載電容的不同,可能導致無源金屬殼普通貼片晶振振蕩頻率與設計頻率之間產生偏差,如下圖所示。電路中的負載電容的近似表達式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。其中CS表示電路的雜散電容。
測試條件:(1)電源電壓:超過 150µs,直到電壓級別從 0 %達到 90 % 。電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2)其他:輸入電容低于 15 pF5倍頻率范圍或更多測量頻率。鉛探頭應盡可能短。測量橢圓形扁殼貼片晶振頻率時,探頭阻抗將高于 1MΩ。當波形經過的放大器時,可同時進行測量。(3)其他:CL包含探頭電容。應使用帶有小的內部阻抗的電表。使用微型插槽,以觀察波形。(請勿使用該探頭的長接地線).橢圓型石英諧振器,進口無源49SMD晶體,HC49USM晶振
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