Cardinal晶振,貼片晶振,CSM5晶振,進(jìn)口晶振
頻率:3.579545~75MHZ
尺寸:12.9*4.7mm
Cardinal的定價(jià)和交付時(shí)間在無源晶振元件行業(yè)中最具競(jìng)爭力。銷售代表,分銷商和專門的內(nèi)部銷售部門專注于提供高水平的服務(wù)以滿足您的需求。紅衣主教的區(qū)別不僅僅是我們的產(chǎn)品范圍或我們的技術(shù)能力。您可以信賴的穩(wěn)定可靠的性能是我們公司與眾不同之處。我們很高興地宣布,泰藝美國子公司Isotemp(http://www.taitien.com/)已經(jīng)收購了Cardinal Components(http://www.cardinalxtal.com/)的資產(chǎn)。此次收購于2016年4月8日完成。
Taitien是全球領(lǐng)先的頻率控制產(chǎn)品制造商,提供廣泛的石英晶體,振蕩器,VCXO,TCXO,OCXO,精密晶體和厚度監(jiān)視器晶體。該公司通過了ISO 9001和TS 16949認(rèn)證,在臺(tái)灣,中國和美國擁有制造,設(shè)計(jì)和應(yīng)用工程資源。49S貼片諧振器,無源金屬面晶振,CSM5晶振
Cardinal晶振,貼片晶振,CSM5晶振,進(jìn)口晶振,貼片石英晶體,體積小,焊接可采用自動(dòng)貼片系統(tǒng),產(chǎn)品本身小型,表面貼片晶振,特別適用于有小型化要求的電子數(shù)碼產(chǎn)品市場(chǎng)領(lǐng)域,因產(chǎn)品小型,薄型優(yōu)勢(shì),耐環(huán)境特性,包括耐高溫,耐沖擊性等,在移動(dòng)通信領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用,晶振產(chǎn)品本身可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.
晶振高精密點(diǎn)膠技術(shù):無源晶振晶片膠點(diǎn)的位置、大?。何恢脺?zhǔn)確度以及膠點(diǎn)大小一致性,通過圖像識(shí)別及高精密度數(shù)字定位系統(tǒng)的運(yùn)用、使石英晶振晶片的點(diǎn)膠的精度在±0.02mm之內(nèi)。將被上銀電極的晶片裝在彈簧支架上,點(diǎn)上導(dǎo)電膠,并高溫固化,通過彈簧即可引出電信號(hào)。超小型、超低頻石英晶振晶片的邊緣處理技術(shù):是超小型、超低頻石英晶振晶體元器件研發(fā)及生產(chǎn)必須解決的技術(shù)問題,為壓電石英晶振行業(yè)的技術(shù)難題之一。49S貼片諧振器,無源金屬面晶振,CSM5晶振
Cardinal晶振 |
單位 |
CSM5晶振 |
石英晶振基本條件 |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
f_nom |
3.579545~75MHZ |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
儲(chǔ)存溫度 |
T_stg |
-55°C~+125°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-10°C~+85°C |
標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
激勵(lì)功率 |
DL |
1.0mW Max. |
推薦:1.0mW |
頻率公差 |
f_— l |
±15,30,50,100× 10-6 |
+25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±10,30,50,100× 10-6/-40°C~+85°C |
超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們. |
負(fù)載電容 |
CL |
18PF |
不同負(fù)載電容要求,請(qǐng)聯(lián)系我們. |
串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C~+85°C, DL = 100μW |
頻率老化 |
f_age |
±5× 10-6/year Max. |
+25°C,第一年 |
所有產(chǎn)品的共同點(diǎn):1:抗沖擊:抗沖擊是指石英進(jìn)口晶振產(chǎn)品可能會(huì)在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過沖擊請(qǐng)勿使用。因?yàn)闊o論何種石英晶振,其內(nèi)部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會(huì)給晶振照成不良影響。 2:輻射:將貼片晶振暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害,因此應(yīng)避免陽光長時(shí)間的照射。 3:化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境:請(qǐng)勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品。Cardinal晶振,貼片晶振,CSM5晶振,進(jìn)口晶振
4:粘合劑:請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致石英無源晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。(比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能。) 5:鹵化合物:請(qǐng)勿在鹵素氣體環(huán)境下使用晶振。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕。同時(shí),請(qǐng)勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹脂。6:靜電:過高的靜電可能會(huì)損壞貼片晶振,請(qǐng)注意抗靜電條件。請(qǐng)為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時(shí)候,請(qǐng)使用電焊槍和無高電壓泄漏的測(cè)量電路,并進(jìn)行接地操作。
晶振產(chǎn)品使用每種產(chǎn)品時(shí),請(qǐng)?jiān)?b>進(jìn)口石英晶振規(guī)格說明或產(chǎn)品目錄規(guī)定使用條件下使用。因很多種晶振產(chǎn)品性能,以及材料有所不同,所以使用注意事項(xiàng)也有所不同,比如焊接模式,運(yùn)輸模式,保存模式等等,都會(huì)有所差別。49S貼片諧振器,無源金屬面晶振,CSM5晶振
測(cè)試條件:(1)電源電壓:超過 150µs,直到電壓級(jí)別從 0 %達(dá)到 90 % 。電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2)其他:輸入電容低于 15 pF5倍頻率范圍或更多測(cè)量頻率。鉛探頭應(yīng)盡可能短。測(cè)量大面積49SMD諧振器頻率時(shí),探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過振蕩器的放大器時(shí),可同時(shí)進(jìn)行測(cè)量。(3)其他:CL包含探頭電容。應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。使用微型插槽,以觀察波形。(請(qǐng)勿使用該探頭的長接地線).Cardinal晶振,貼片晶振,CSM5晶振,進(jìn)口晶振
1.振蕩電路:晶體諧振器是無源元件,因此受到49S型石英晶體電源電壓、環(huán)境溫度、電路的影響。配置、電路常數(shù)和襯底布線模式等操作大致分為正常運(yùn)行和異常運(yùn)行。因此,在振蕩電路的設(shè)計(jì)中,先決條件之一是如何確定振蕩電路。晶體諧振器的振動(dòng)安全穩(wěn)定。只有在做出了這個(gè)決定之后,后續(xù)的項(xiàng)目,例如討論了頻率精度、頻率變化、調(diào)制度、振蕩起始時(shí)間和振蕩波形。
2.角色的分量與參考值:在振蕩電路的設(shè)計(jì)中,必須認(rèn)識(shí)到耐高溫環(huán)境晶振個(gè)體的作用。組件.在表1中,以例如振蕩電路為例來描述角色。(圖1)使用一個(gè)通用的C-MOS IC(74hcuo4ap東芝)。當(dāng)反饋電阻(rf)未安裝在振蕩電路中時(shí),如圖所示表1,即使在振蕩功率作用下,諧振器也不會(huì)啟動(dòng)振蕩。電路。除非有適當(dāng)值的電阻器連接,否則振蕩不會(huì)啟動(dòng).
此外,振蕩頻率與測(cè)量點(diǎn)不同。1。測(cè)量49SSMD石英晶振緩沖輸出2。振蕩級(jí)輸出測(cè)量三.通過電容器測(cè)量振蕩級(jí)輸出圖5示出以上1-3個(gè)測(cè)量點(diǎn)和所測(cè)量的除緩沖器輸出外,振蕩頻率較低。49S貼片諧振器,無源金屬面晶振,CSM5晶振
公司名:深圳市金洛鑫電子有限公司
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JLX-PD
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