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正確優(yōu)化LVCMOS與MEMS晶振電磁干擾兼容性問題

返回列表 來源:金洛鑫 瀏覽:- 發(fā)布日期:2019-03-06 11:15:24【
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在深圳,廣州,杭州,上海這些科技發(fā)展快速的城市里,可以明顯感覺到周圍和生活都在不斷的變化,和科技帶來的便捷。例如盛極一時的共享產(chǎn)業(yè)鏈,智能汽車,智能家居到現(xiàn)在華為出的5G折疊智能手機,都是科技發(fā)展的證據(jù),身邊的電子產(chǎn)品也越來越智能化,多功能化,對周邊的電子元件要求也更高了。許多產(chǎn)品都開始用比較高端的LVCMOS輸出的差分晶振,和MEMS可編程振蕩器這兩種有源晶振,因為像無線基站,手機信號處理器,GPS/北斗導(dǎo)航定位,雷達,飛機/船舶呼叫設(shè)備,網(wǎng)絡(luò)設(shè)施這些需要阻擋干擾信號并且要兼容電磁的,只有高性能的晶體振蕩器才能滿足設(shè)計要求。

正確優(yōu)化LVCMOS與MEMS晶振電磁干擾兼容性問題

每個產(chǎn)品設(shè)計師都必須每天處理電磁兼容性(EMC)或電磁干擾(EMI)問題-尤其是在使用石英振蕩器等頻率決定元件時。安裝石英晶體振蕩器中的IC產(chǎn)生陡峭的鋒利邊緣,并產(chǎn)生強烈的諧波泛音。擴頻振蕩器是解決此問題的一種方法,但有許多應(yīng)用都無法使用。例如,在中心擴展為±0.5%的情況下,輸出頻率在fout的范圍內(nèi)被調(diào)制±0.5%。鑒于頻率為33.33366.666MHz,±0.5%的頻率調(diào)制意味著頻率調(diào)制范圍為33.333MHz±166.665kHz66.666MHz±333.330kHz-對于精確時鐘來說太大了。這些應(yīng)用通常僅允許±50ppm,或者換句話說,減少100倍。

頻率穩(wěn)定性為±50ppm,相當(dāng)于33.333MHz時的±1.66665kHz容差,或66.666MHz時的±3.3333kHz容差。在這種情況下,開發(fā)人員迄今為止不得不采取非常昂貴的措施來降低EMC-EMI。這不再是必要的?;趧?chuàng)新的IC技術(shù)-下一代時鐘-來自LandsbergamLechPetermann-Technik提供高度多樣化的SMD可編程晶振,具有SoftLevel輸出信號。上升)和下降時間(下降)。SoftLevel技術(shù)允許根據(jù)客戶要求精確調(diào)整輸出信號。

SoftLevel功能的作用:

1顯示了LVCMOS晶振輸出信號的周期t,其中t上升和t下降在20%和80%之間。圖2顯示了在電源電壓為+3.3VDC時,與SoftLevel LVCMOS差分晶體振蕩器輸出信號(藍(lán)線)相比,正常LVCMOS方波信號(紅線)的側(cè)面輪廓。該圖清楚地顯示了SoftLevel函數(shù)如何圍繞方波的邊緣(產(chǎn)生類似鯊魚鰭的形狀),從而顯著減少諧波泛音。圖3顯示了與輸出信號周期t相關(guān)的EMC-EMI衰減(奇次諧波泛音)。trisetfall與時鐘信號的周期t成比例地表示。

t0.050.455%至45%)范圍內(nèi),上升和下降可以延長。如果與基本信號相比tt上升和t下降延長5%,則信號形狀非常接近原始方波信號。在高達45%的延伸時,差分振蕩器輸出信號的形狀越來越像鯊魚鰭,并且在第11次諧波泛音時EMC-EMI衰減大于-60dB。這種簡單調(diào)整t上升和下降的巨大價值。

正確優(yōu)化LVCMOS與MEMS晶振電磁干擾兼容性問題

1LVCMOS輸出信號的周期t,其中trisetfall20%和80%之間。

SoftLevel功能對開發(fā)人員造成了什么損失?沒什么,因為SoftLevel功能是LPO,LPOP,HTLPOWTLPO,UPO,HTLPO-AUTWTLPO-AUT系列的MEMS晶振的標(biāo)準(zhǔn)功能。(AUT=AEC-Q100中定義的汽車)。這些振蕩器系列還提供標(biāo)準(zhǔn)外殼,尺寸為7mmx5mm,5mmx3.2mm,3.2mmx2.5mm2.5mmx2.0mm2.0mmx1.6mm,因此可放置在現(xiàn)有的PCB布局上作為石英振蕩器的直接和直接替代品。這樣的內(nèi)部工程在彼得曼-TECHNIK可根據(jù)應(yīng)用的具體需求優(yōu)化建議客戶和編程產(chǎn)品,開發(fā)者必須說什么牛逼上升/噸下跌在他的申請中他可以接受的時間。正是這種編程-trise/tfall的延長-實現(xiàn)了諧波泛音衰減。在SMD硅時鐘振蕩器電路設(shè)計中,PETERMANN晶振的專家建議在電源電壓和接地引腳之間使用0.1μF去耦電容。這大大減小了電源電壓的影響。

正確優(yōu)化LVCMOS與MEMS晶振電磁干擾兼容性問題

2:普通LVCMOS方波信號(紅線)的側(cè)翼輪廓與具有圓邊的SoftLevelLVCMOS輸出信號(藍(lán)線)相比較。

SMD硅時鐘振蕩器的其他優(yōu)點:

上述系列的SMD硅時鐘振蕩器也可用于2.253.63VDC的電源電壓范圍。振蕩器可由此VDD范圍內(nèi)的任何電源電壓驅(qū)動(例如,2.5VDC±10%,2.8VDC±10%,3.0VDC±10%或3.3VDC±10%)。因此,產(chǎn)品開發(fā)人員只需要將一個振蕩器限定為四個經(jīng)典電源電壓。這一標(biāo)準(zhǔn)功能為開發(fā)人員節(jié)省了大量資金用于組件認(rèn)證,而供應(yīng)鏈經(jīng)理則為采購,管理和存儲大量資金顯著減少了組件。以較大批量購買的組件價格較低。當(dāng)然,SoftLevel功能也可用于2.253.63VDCVDD范圍作為標(biāo)準(zhǔn)功能。作為另一個標(biāo)準(zhǔn)特性,MEMS貼片振蕩器具有非常嚴(yán)格的頻率容差,例如±20ppm@-40/85°C,±30ppm@-40/105°C和±50ppm@-40/125°C。當(dāng)然,AEC-Q100兼容振蕩器(HTLPO-AUTWTLPO-AUT)也可提供上述所有功能。

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3EMC-與較長時期相關(guān)的EMI降低。

SoftLevel功能改善了EMC-EMI特性:

SMD硅時鐘振蕩器的EMC-EMI特性可以通過簡單地使用SoftLevel功能免費調(diào)整輸出信號的t上升和下降t來顯著提高,這意味著開發(fā)人員不再需要采取昂貴的措施來提高其應(yīng)用的EMC-EMI性能。MEMS石英振蕩器可以直接放置在現(xiàn)有的PCB布局上。此外,由于VDD范圍為2.253.63VDC,并且標(biāo)準(zhǔn)頻率公差非常嚴(yán)格,因此可以節(jié)省大量資金用于元件認(rèn)證,采購,管理和存儲。

MEMS是一種硅振蕩器,它與普通的石英晶體振蕩器不一樣,材料是硅晶,從2005年以后才開始被生產(chǎn)廠家們了解,因為在些之前,MEMS晶振的成本非常高,當(dāng)時的產(chǎn)品有可以替代的,所以基本上很少廠家會采用MEMS。差分晶振也是差不多的道理,但現(xiàn)在國外的晶振廠家有效的控制了成本,最主要的是穩(wěn)定性好,可抗干擾信號,處理電磁兼容的問題,而且現(xiàn)在很多智能產(chǎn)品都要用到MEMSLVCMOS系列的高級振蕩器,需求數(shù)量和使用次數(shù)也不斷的增加。

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    【本文標(biāo)簽】:MEMS可編程晶振 LVCMOS差分晶振 抗電磁干擾晶振
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