精品人妻无码中字系列,我爱我色成人网,国产无圣光一区福利二区,欧美 色 图 亚洲 综合

您好,歡迎踏入金洛鑫電子有限公司

金洛鑫公眾號 金洛鑫公眾號 | 關于金洛鑫| 添加收藏| 網(wǎng)站地圖| 會員登錄| 會員注冊

熱門關鍵詞 : 聲表面濾波器陶瓷諧振器熱敏晶體熱敏晶振嘉碩晶振大河晶振亞陶晶振加高晶振TCXO晶振霧化片

當前位置首頁 » 常見問題 » 這4種晶體振蕩器類型的冷知識你一定不知道

這4種晶體振蕩器類型的冷知識你一定不知道

返回列表 來源:金洛鑫 瀏覽:- 發(fā)布日期:2019-06-05 10:24:09【
分享到:

我們都知道常見的石英晶體振蕩器類型有SPXO,TCXO,VCXO,OCXO,關于這4類振蕩器的文章金洛鑫電子已經(jīng)發(fā)了無數(shù)篇了,從它們的基礎知識,生產(chǎn)流程,制造工藝,加工方法到更深入的技術(shù)資料,以往的資訊都有說到過,但這些不過是這個行業(yè)里的冰山一角.目前OCXO,TCXO,VCXO這些高端的晶振使用次數(shù)越來越多,因為比較復雜,許多工程都想更多了解這些晶體振蕩器的相關知識,以便更好的去使用.本文內(nèi)容將會更細致的講解這些晶體振蕩器的冷知識,而且大部分內(nèi)容是大家不知道的.

這4種晶體振蕩器類型的冷知識你一定不知道

石英晶體和時鐘振蕩器:

典型老化率:±1ppm/年至±5ppm/

典型校準公差:對于AT晶體,將為±10ppm

典型頻率調(diào)節(jié)范圍:±10ppm至±20ppm

晶體控制時鐘振蕩器(XO)是一種通過石英晶體固有的溫度穩(wěn)定性實現(xiàn)其溫度穩(wěn)定性的器件.該特性通常以百萬分之幾(ppm)表示.室溫(+25°C)下的初始精度取決于大部分晶體的校準.可以結(jié)合頻率調(diào)節(jié)電子電路,以便可以調(diào)節(jié)室溫下的標稱頻率以進行老化.這種頻率調(diào)節(jié)可以通過使用微調(diào)電容器來實現(xiàn),典型的調(diào)節(jié)范圍是±10ppm至±20ppm.通過這種類型的調(diào)整,+25°C的頻率通??梢栽O置為±1ppm.

烤箱控制晶體振蕩器(OCXO)

典型溫度穩(wěn)定性:±1x10-7至±1x10-9

典型老化率:±2x10-7/年至±2x10-8/

典型功耗:穩(wěn)態(tài)條件下的1.5瓦至2.0(環(huán)境溫度+25°C)

一個OCXO是一個晶體振蕩器,其是由溫度迷你內(nèi)部恒溫.這種類型的振蕩器具有溫度控制電路,以保持晶體和其他關鍵部件的一致溫度.OCXO通常在需要±1x10-8或更高的溫度穩(wěn)定性時使用.雖然這種類型的振蕩器比TCXO在溫度穩(wěn)定性方面有十倍的改進,OCXO振蕩器的價格往往更高并且消耗更多功率.

OCXO電路的溫度特性:

OCXO的關鍵是在外部環(huán)境溫度變化時將晶體和一些其他振蕩器元件保持在一個特定溫度.這可能與冬天的房屋有關,其中位于房屋內(nèi)的恒溫器檢測到溫度變化并控制爐子以保持所需的溫度.

什么是所需的操作溫度?操作溫度是晶體的轉(zhuǎn)折點之一(參見晶體部分).在轉(zhuǎn)折點,頻率與溫度曲線的斜率為零.這意味著即使溫度略微上升或下降,頻率變化也是最小的.請注意,對于OCXO,晶體的轉(zhuǎn)折點溫度必須高于溫度范圍的上限.這是因為如果外部溫度為+35°C,您無法使用爐子將房屋的溫度控制在+25°C.一般的經(jīng)驗法則是,您需要晶體的轉(zhuǎn)折點比OCXO振蕩器電路的工作溫度高10°C.

對于OCXO,熱敏電阻(我們將在TCXO部分中更多地討論這個問題)相當于家中的恒溫器.它用于檢測晶體和晶體振蕩器電路的溫度.熱源可以是功率晶體管或功率電阻器.所需的最后一個部件是比較器電路,用于控制熱源中產(chǎn)生的功率量.

比較器電路:

比較器電路由運算放大器和配置為高增益放大器的其他組件(電阻器和電容器)組成.操作溫度稱為“設定點”,并通過在正常生產(chǎn)過程中選擇的選定值電阻器進行調(diào)節(jié).在正常操作期間,熱敏電阻通過改變到略微不同的電阻值來感測環(huán)境溫度變化.比較器電路然后調(diào)節(jié)產(chǎn)生的功率以使熱敏電阻返回到原始電阻值并且晶振和電路溫度恢復到原始設定點溫度.

堅持與房子比較...OCXO使用絕緣材料與房子類似.絕緣用于減輕環(huán)境溫度變化的影響并減少維持設定點溫度所需的功率.使用的絕緣越好,保持在設定溫度點所需的功率越小.今天越來越多的RF應用需要更低的功率輸入,因此絕緣起著關鍵作用.典型OCXO的溫度控制器電路將設定點溫度保持在±1°C或更低.
雙爐OCXO

甲雙爐型振蕩器(DOCXO)可能需要更緊如果穩(wěn)定性是必需的(±1×10-105×10-11至±).通過將OCXO放入另一個烤箱包裝中來制作DOCXO.該外部烤箱將緩沖OCXO的環(huán)境變化,兩個溫度控制器的組合可將設定點溫度保持在±0.10°C以內(nèi).使用DOCXO的一些最大挫折包括:它們需要更大的包裝尺寸,他們消耗更多的力量,通常更貴.+25°C環(huán)境溫度下雙爐振蕩器的典型功率輸入在穩(wěn)態(tài)條件下為3.0瓦至4.0.

由于OCXO的老化速率為0.20ppm/年至2.0x10-8/,因此需要將頻率調(diào)整為+25°C以抵消老化效應.大多數(shù)OCXO都具有類似于TCXO振蕩器的機械頻率調(diào)整.典型的調(diào)節(jié)范圍為+2ppm至±0.20ppm.

OCXO中的石英晶體切割類型:

晶體切割的類型也會增加有源晶振的穩(wěn)定性.某些類型的切口在其轉(zhuǎn)折點處具有不同的頻率與溫度的斜率.兩種最常見的切割類型是ATSC切割.例如,對于+80°C的轉(zhuǎn)折點,SC切割晶體的斜率可能為5x10-9/°C,AT型晶體的斜率可能為1x10-8/°C80°C轉(zhuǎn)折點.使用相同的溫度控制器,AT型晶體的頻率將是SC型晶體的兩倍.溫度穩(wěn)定性和工作溫度范圍要求決定了所用晶體切割的類型.

溫度控制晶體振蕩器(TCXO)

典型的溫度穩(wěn)定性:±0.20ppm至±2.0ppm

典型老化率:±0.50ppm/年至±2ppm/

溫度控制晶體振蕩器(TCXO)的作用類似于OCXO,因為它們管理晶體振蕩器電路的溫度.但是,他們也有很多不同之處.TCXO晶振的基本構(gòu)建模塊是VCXO,偏差范圍約為±50ppm,溫度敏感網(wǎng)絡.該溫度敏感網(wǎng)絡(溫度補償電路)向變?nèi)荻O管施加電壓,該電壓在工作溫度范圍內(nèi)的任何溫度下校正VCXO的頻率.TCXO獲得的典型溫度穩(wěn)定性為±0.20ppm至±2.0ppm.由此可以看出,TCXO在時鐘振蕩器上的溫度穩(wěn)定性提高了十倍.

TCXO電路:

要創(chuàng)建溫度補償電路,您需要一些東西來感知環(huán)境溫度.熱敏電阻是大多數(shù)TCXO中的典型傳感器件.熱敏電阻是電阻器件,其電阻取決于環(huán)境溫度.

有兩種類型的熱敏電阻:

1.系數(shù)為正的系數(shù):隨著溫度的升高,它們的阻力會上升

2.具有負系數(shù)的那些:它們的電阻隨著溫度的升高而下降

典型的溫度補償電路將熱敏電阻和電阻器組合成分壓器網(wǎng)絡,以在任何溫度下產(chǎn)生所需的校正電壓.然后將該校正電壓施加到變?nèi)荻O管.如果溫度補償電路精確匹配晶體的溫度曲線,振蕩器的頻率將隨著溫度的變化保持恒定.由于可用晶體的可變性和可用的熱敏電阻系數(shù),這在現(xiàn)實世界中是不可獲得的.每個晶體的溫度穩(wěn)定性略有不同,精確的熱敏電阻系數(shù)和值不能始終提供完美的網(wǎng)絡區(qū)域.

通常,給定的熱敏電阻組用于生產(chǎn)批次中的所有TCXO振蕩器.這將允許大多數(shù)TCXO被修為可接受的穩(wěn)定性.如果需要更嚴格的溫度穩(wěn)定性,可以在生產(chǎn)過程中調(diào)整熱敏電阻,但由于測試時間較長,TCXO的成本會增加.要克服的另一個主要問題是晶體溫度穩(wěn)定性的擾動(曲線擬合數(shù)據(jù)的偏差).這些與平滑溫度曲線的偏差難以補償,如果它們的持續(xù)時間很短,則無法補償.如果TCXO的溫度穩(wěn)定性要求太緊,可能必須更換一些晶體并開始生產(chǎn)測試.這將增加TCXO的成本.

由于溫度補償晶振的老化速率為0.50ppm/年至2.0ppm/,因此需要將頻率調(diào)整為+25°C以抵消老化效應.大多數(shù)TCXO具有類似于時鐘振蕩器的機械頻率調(diào)整.典型的調(diào)節(jié)范圍為±5ppm.

壓控晶體振蕩器(VCXO)

典型的偏差范圍:±10ppm至±2000ppm.

典型老化率:±1ppm/年至±5ppm/

VCXO振蕩器(壓控晶體振蕩器)是晶體振蕩器,其頻率可通過外部施加的電壓進行調(diào)節(jié).VCXO在頻率調(diào)制(FM)和鎖相環(huán)(PLL)系統(tǒng)中具有廣泛的應用.壓控振蕩器的頻率由稱為變?nèi)荻O管的器件維持.該器件本質(zhì)上是一個電壓可變電容器.變?nèi)荻O管的電容與施加的電壓成反比.

要了解二極管如何成為電壓可變電容器,首先要考慮什么是電容器.它由兩個帶電介質(zhì)的帶相反電荷的板組成.二極管只不過是PN硅結(jié).兩個區(qū)域的相對邊緣用作板.反向偏置迫使電荷遠離其正常區(qū)域并形成耗盡層.電壓越大,耗盡層越寬.這增加了板之間的距離,這降低了電容.為了獲得更大的調(diào)諧范圍,一些變?nèi)荻O管具有超突變結(jié).超突變變?nèi)荻O管中的摻雜在結(jié)點附近更密集,這導致耗盡層更窄,并且電容更大.因此,反向電壓的變化對電容的影響更大.

VCXO的傳遞函數(shù)(或斜率極性)是頻率變化相對于控制電壓的方向.這可能是正的(意味著電壓的正變化將導致頻率變高)或負的(意味著電壓的負變化將導致頻率變高.)需要指定此參數(shù)或假設某個斜率由制造商.作為一般經(jīng)驗法則,不要指定比必要更多的偏差范圍.這是因為具有更多偏差的VCXO晶振在溫度和時間方面不太穩(wěn)定.舉個例子:

1.0°C+50°C范圍內(nèi),VCXO的±25ppm偏差的溫度穩(wěn)定性可能為±10ppm,年老化率為±1ppm.

2.0°C+50°C范圍內(nèi),VCXO的±1000ppm偏差的溫度穩(wěn)定性可能為±100ppm,年老化率為±5ppm.

推薦閱讀

    【本文標簽】:晶體振蕩器類型 有源晶振知識 石英晶體振蕩器電路資料
    【責任編輯】:金洛鑫版權(quán)所有:http://www.upap-pt.com轉(zhuǎn)載請注明出處