一種新型的超低相噪OCXO振蕩器誕生于IQD公司

現(xiàn)在是大數(shù)據(jù)時(shí)代,通信與網(wǎng)絡(luò)是維持現(xiàn)代社會(huì)發(fā)展與生存的重要根基,隨著5G通訊協(xié)議的話題愈演愈烈,未來2年將很有可能是爆發(fā)期,也將帶動(dòng)周邊的產(chǎn)品.石英晶振是產(chǎn)品系統(tǒng)和設(shè)備主要使用的電子配件之一,這幾年因?yàn)?/span>5G的熱度不斷上升,國內(nèi)外許多廠家都為些做好準(zhǔn)備,研發(fā)和設(shè)計(jì)專用于5G模塊上的晶體和振蕩器,其中超高性能的OCXO振蕩器,被行業(yè)人士認(rèn)為是非常適合5G基站,5G信號(hào)塔,5G智能手機(jī)使用的一種振蕩器產(chǎn)品.因?yàn)檫@種晶振具備許多優(yōu)良的特性.

IQD晶振公司推出了一種新的高穩(wěn)定性和低相位噪聲的恒溫石英晶體振蕩器(OCXO),該振蕩器還具有出色的短期穩(wěn)定性.IQOV-220在-40至85攝氏度的整個(gè)工業(yè)溫度范圍內(nèi)具有高達(dá)±0.5ppb(十億分之一)的出色頻率穩(wěn)定性能,短期穩(wěn)定性(艾倫偏差)為0.5ppt(tau=1s).IQOV-220具有24小時(shí)6µS的保持規(guī)范,通常為-140dBC/Hz@10Hz的近相位噪聲和通常為-160dBc/Hz@100kHz的遠(yuǎn)相位噪聲,是高性能合成器,網(wǎng)絡(luò)時(shí)鐘的理想選擇,雷達(dá)和衛(wèi)星通信.

IQOV-220的工作頻率為10MHz,并安裝在行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的36x27mm密封通孔金屬封裝中.這款SinewaveOCXO能夠驅(qū)動(dòng)高達(dá)50Ω的負(fù)載,并在12V電壓下工作,在預(yù)熱期間最大消耗5W功率,在25攝氏度時(shí)在穩(wěn)態(tài)下最大消耗1.2W功率.新的OCXO有源晶振在引腳2上進(jìn)行了頻率調(diào)節(jié),從而可以在控制電壓為0至8V的情況下將頻率拉低±0.4ppm(百萬分之一),足以覆蓋10年的使用壽命. 

這個(gè)新系列是IQD提供的OCXO廣泛系列的一部分,其中包括極低的相位噪聲性能和超小型封裝,是采用密封封裝的高穩(wěn)定性OCXO Oscillator具有出色的相位噪聲和艾倫偏差.

頻率參數(shù):

頻率10.0MHz

頻率穩(wěn)定度±0.50ppb

老化(連續(xù)運(yùn)行30天后):最大±0.1ppb

每天,每年最大±30ppb

電源電壓變化(±10％變化):±1ppb(最大值)

短期穩(wěn)定性(tau=1s):0.5ppt

電氣參數(shù):

電源電壓12.0V±5％

能量消耗:

預(yù)熱:最大5W穩(wěn)態(tài)(@25°C):最大1.2W

25°C的預(yù)熱時(shí)間:10分鐘后最大值為±2ppb

頻率調(diào)整:

最小±0.4ppm

控制電壓0至8V

輸入阻抗50kΩ以上

斜率:正

拉拔:至少十年老化

工作溫度范圍:-40至85°C

輸出詳細(xì)信息:輸出兼容性正弦波

驅(qū)動(dòng)能力50Ω

輸出電平:(交流耦合到50Ω):+10dBm(±2dBm)

噪音參數(shù):

相位噪聲(典型值@25°C)

-118dBc/Hz@1赫茲

-140dBc/Hz@10赫茲

-152dBc/Hz@100kHz

-155dBc/Hz@1kHz時(shí)

-160dBc/Hz在10kHz時(shí)

-160dBc/Hz@100kHz

諧波失真:-30dBcmax

雜散:最大-80dBc

環(huán)境參數(shù):

振動(dòng):(IEC60068-2-06,測(cè)試Fc,10Hz-55Hz,1.5mm位移,55Hz-500Hz10G

沖擊:IEC60068-2-27,測(cè)試Ea,在11ms的時(shí)間內(nèi)加速度峰值增加50g.

封裝尺寸圖: 

由于技術(shù)原因OCXO振蕩器的封裝尺寸始終無法有大的突破,是所有頻率組件里體積最大的,之前是使用這種振蕩器的廠家不多,因此發(fā)展一直停滯不前,如果隨著5G商業(yè)化開端,相信許多海內(nèi)外的晶振廠家,包括IQD公司在內(nèi)都會(huì)加緊研發(fā)更小的尺寸,和更高的性能,以滿足產(chǎn)品的需求.

一種新型的超低相噪OCXO振蕩器誕生于IQD公司