Q-Tech井下探測(cè)高溫系列晶體振蕩器料號(hào)
中國(guó)基礎(chǔ)建設(shè)的速度和技術(shù)都是一流的,因此外國(guó)友人把我們叫做’基建狂魔’,可見(jiàn)我們?cè)诨ǚ矫娴挠∠蠖嗝吹纳钊肴诵?其實(shí)不止是中國(guó),基礎(chǔ)建設(shè)都是各國(guó)重要的項(xiàng)目,也是體現(xiàn)一個(gè)大國(guó)綜合實(shí)力的工程,建設(shè)需要許多重工機(jī)械和井下探測(cè),鉆井等設(shè)備,耐高溫的晶體振蕩器是重工機(jī)械設(shè)備主要使用的頻率元件.Q-Tech晶振公司參與了多個(gè)基礎(chǔ)建設(shè)工程,并提供合適的石英晶體振蕩器和實(shí)時(shí)時(shí)鐘模塊.
Q-Tech長(zhǎng)期以來(lái)一直是井下,石油勘探和測(cè)井以及噴氣發(fā)動(dòng)機(jī)控制應(yīng)用的高溫晶體振蕩器的領(lǐng)導(dǎo)者.我們的高溫石英晶體振蕩器產(chǎn)品都經(jīng)過(guò)嚴(yán)格的認(rèn)證,并按最高標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行測(cè)試.我們繼續(xù)將現(xiàn)有技術(shù)推向更小尺寸的封裝,更低的功耗和電流要求以及實(shí)時(shí)時(shí)鐘模塊.我們的產(chǎn)品與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手之間的差異在于我們出色的可靠性,性能和質(zhì)量.
●一般高溫產(chǎn)品
●QTCH高溫振蕩器(5x7,3.2x5,2.5x3.2mm超小型表面貼裝)
●5x7mm高溫,包括4點(diǎn)安裝
●5x7mm 32.768K晶體振蕩器+200°C,用于實(shí)時(shí)時(shí)鐘
●5x7mm 32.768kHz振蕩器,RTC的極低電流
●實(shí)時(shí)時(shí)鐘SPIQT1123L,極低電流
●實(shí)時(shí)時(shí)鐘I2CQT2024L,極低電流
數(shù)據(jù)表 | 圖片 | 包 | 尺寸(毫米) | 市場(chǎng) | 邏輯類(lèi)型 | 電源電壓 |
---|---|---|---|---|---|---|
高溫5x7 | QT81,QS81 | 5.00 x 7.00 x 2.00 | 高溫 | CMOS,LVHCMOS,TTL | 1.8到5Vdc | |
高溫5x7 | QT86 | 5.00 x 7.00 x 2.00 | 高溫 | CMOS,LVHCMOS,TTL | 1.8到5Vdc | |
QTCH高溫振蕩器 | QTCH230 | 2.50 x 3.20 x 1.15 | 高溫 | CMOS | 1.8至3.3Vdc | |
QTCH高溫振蕩器(32K768) | QTCH230(32K768) | 2.50 x 3.20 x 1.15 | 高溫 | CMOS | 2.5至3.3Vdc | |
QTCH高溫振蕩器 | QTCH350 | 3.20 x 5.00 x 1.20 | 高溫 | CMOS | 1.8至3.3Vdc | |
QTCH高溫振蕩器(32K768) | QTCH350(32K768) | 3.20 x 5.00 x 1.20 | 高溫 | CMOS | 2.5至3.3Vdc | |
QTCH高溫振蕩器 | QTCH570 | 5.00 x 7.00 x 1.40 | 高溫 | CMOS | 1.8至3.3Vdc | |
QTCH高溫振蕩器(32K768) | QTCH570(32K768) | 5.00 x 7.00 x 1.40 | 高溫 | CMOS | 2.5至3.3Vdc | |
QT2024 | QT2024 | 12.8 x 12.8 x 5.08 | 高溫 | CMOS | 3.3VDC | |
QT1123L RTC | QT1123L,QS1123L,QG1123L | 22.35 x 12.83 x 5.08 | 高溫 | CMOS | -5.2至-4.5Vdc和1.8至15Vdc | |
QT38x RTC | QT380,QT381,QT382,QT383,QT384,QT385,QT386,QT387,QS380,QS381,QS382,QS383,QS384,QS385,QS386,QS387 | 5.0 x 7.0 x 2.54 | 高溫 | CMOS | 2.5至3.3Vdc | |
QT58x和QT59x | QT581,QT582,QT583,QT584,QT588,QT589,QT590,QT592,QS581,QS582,QS583,QS584,QS588,QS589,QS590,QS592 | 5.00 x 7.00 x 2.00 | 高溫 | CMOS | 2.5至3.3Vdc |
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