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美國Silicon振蕩器501EAA48M0000CAG編碼的實(shí)際意義

返回列表 來源:金洛鑫 瀏覽:- 發(fā)布日期:2019-10-16 11:24:19【
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美國Silicon振蕩器501EAA48M0000CAG編碼的實(shí)際意義

Silicon Laboratories.公司是美國眾多晶體制造商中,少有的可以與SiTime晶振相提并論的一家硅振蕩器供應(yīng)商,目前量產(chǎn)可編程振蕩器的廠家并不算多,至少與石英組件的比起來.與其他晶振廠家不一樣的是,Silicon晶振公司只生產(chǎn)SPXO,VCXO,MEMS類型的晶體振蕩器,而且每一款都可以按客戶的要求定制,具體優(yōu)良的靈活性,可靠性,穩(wěn)定性.Silicon Labs的晶體振蕩器(XO)和壓控振蕩器(VCXO)產(chǎn)品可為高達(dá)3GHz的任何頻率提供快速,輕松的定制,精度為六位數(shù).雙路,四路和I2C可編程振蕩器產(chǎn)品替代了多個振蕩器和多路復(fù)用器,同時提高了石英晶振可靠性和性能.

美國Silicon振蕩器501EAA48M0000CAG編碼的實(shí)際意義

Silicon公司石英晶體振蕩器具有10年的使用壽命,可在所有工作條件下提供±30ppm的穩(wěn)定性,包括-40°C+85°C工業(yè)溫度范圍.對于需要較低抖動的較高頻率應(yīng)用,石英晶體振蕩器的可編程頻率高達(dá)810MHz.硅振蕩器提供基于石英振蕩器的低成本替代可編程,通過使用全硅LC振蕩器產(chǎn)生的任何輸出頻率從0.9200兆赫.

501EAA48M0000CAGSilicon集團(tuán)OSC振蕩器系列的其中一條原廠編碼,它的系列型號是Si501晶振晶振,尺寸是3.2*2.5*0.9mm,常規(guī)的四腳金屬外殼封裝,可應(yīng)用到高端產(chǎn)品設(shè)備,耐高溫性,耐沖撞性,耐惡劣環(huán)境等特性達(dá)到及格以上.通常用戶和供應(yīng)商都是通過原廠編碼,來確定是哪一款晶振,是什么規(guī)格參數(shù)的,根據(jù)前面介紹的其他品牌的晶振編碼,可以看出這條編碼系列料號后面的數(shù)字,指的就是頻率.

501EAA48M0000CAG

Si501晶振

48MHz

(3.20mmx2.50mm)

501BAA16M0000BAG

Si501晶振

16MHz

(4.00mmx3.20mm)

501BAA16M0000CAG

Si501晶振

16MHz

(3.20mmx2.50mm)

501JAA24M0000BAG

Si501晶振

24MHz

(4.00mmx3.20mm)

501AAA27M0000BAG

Si501晶振

27MHz

(4.00mmx3.20mm)

501ACA10M0000CAF

Si501晶振

10MHz

(3.20mmx2.50mm)

501JAA40M0000BAG

Si501晶振

40MHz

(4.00mmx3.20mm)

501ACA10M0000BAF

Si501晶振

10MHz

(4.00mmx3.20mm)

501JCA10M0000BAF

Si501晶振

10MHz

(4.00mmx3.20mm)

501HCA12M0000BAF

Si501晶振

12MHz

(4.00mmx3.20mm)

501JCA25M0000CAF

Si501晶振

25MHz

(3.20mmx2.50mm)

501HCA27M0000BAF

Si501晶振

27MHz

(4.00mmx3.20mm)

501AAA50M0000BAG

Si501晶振

50MHz

(4.00mmx3.20mm)

501ABA8M00000BAG

Si501晶振

8MHz

(4.00mmx3.20mm)

501HCA27M0000DAG

Si501晶振

27MHz

(2.50mmx2.00mm)

501ABA8M00000CAG

Si501晶振

8MHz

(3.20mmx2.50mm)

501JCA10M0000BAG

Si501晶振

10MHz

(4.00mmx3.20mm)

501ACA10M0000BAG

Si501晶振

10MHz

(4.00mmx3.20mm)

501JCA20M0000CAG

Si501晶振

20MHz

(3.20mmx2.50mm)

501BCA16M0000BAG

Si501晶振

16MHz

(4.00mmx3.20mm)

501BCA16M0000CAG

Si501晶振

16MHz

(3.20mmx2.50mm)

501JCA100M000DAF

Si501晶振

100MHz

(2.50mmx2.00mm)

501JCA100M000CAF

Si501晶振

100MHz

(3.20mmx2.50mm)

501JCA100M000BAF

Si501晶振

100MHz

(4.00mmx3.20mm)

501JCAM032768DAF

Si501晶振

32.768kHz

(2.50mmx2.00mm)

501HCAM032768DAF

Si501晶振

32.768kHz

(2.50mmx2.00mm)

501JCAM032768CAF

Si501晶振

32.768kHz

(3.20mmx2.50mm)

501BCAM032768BAF

Si501晶振

32.768kHz

(4.00mmx3.20mm)

501BCAM032768CAF

Si501晶振

32.768kHz

(3.20mmx2.50mm)

501BCAM032768CAG

Si501晶振

32.768kHz

(3.20mmx2.50mm)

500DLAA125M000ACF

Si500D晶振

125MHz

(4.00mmx3.20mm)

500DLAA200M000ACF

Si500D晶振

200MHz

(7.00mmx5.00mm)

510ABA100M000BAGR

Si510晶振

100MHz

(5.00mmx3.20mm)

510ABA125M000BAGR

Si510晶振

125MHz

(5.00mmx3.20mm)

510BBA100M000BAGR

Si510晶振

100MHz

(5.00mmx3.20mm)

510BBA125M000BAGR

Si510晶振

125MHz

(5.00mmx3.20mm)

510FBA100M000BAGR

Si510晶振

100MHz

(5.00mmx3.20mm)

510FBA125M000BAGR

Si510晶振

125MHz

(5.00mmx3.20mm)

511ABA100M000BAGR

Si511晶振

100MHz

(5.00mmx3.20mm)

511ABA125M000BAGR

Si511晶振

125MHz

(5.00mmx3.20mm)

511BBA100M000BAGR

Si511晶振

100MHz

(5.00mmx3.20mm)

511BBA125M000BAGR

Si511晶振

125MHz

(5.00mmx3.20mm)

511FBA100M000BAGR

Si511晶振

100MHz

(5.00mmx3.20mm)

511FBA125M000BAGR

Si511晶振

125MHz

(5.00mmx3.20mm)

510ABA106M250BAGR

Si510晶振

106.25MHz

(5.00mmx3.20mm)

510BBA106M250BAGR

Si510晶振

106.25MHz

(5.00mmx3.20mm)

511ABA106M250BAGR

Si511晶振

106.25MHz

(5.00mmx3.20mm)

511BBA106M250BAGR

Si511晶振

106.25MHz

(5.00mmx3.20mm)

511FBA106M250BAGR

Si511晶振

106.25MHz

(5.00mmx3.20mm)

510ABA000149BAGR

Si510晶振

74.175824MHz

(5.00mmx3.20mm)

510ABA74M2500BAGR

Si510晶振

74.25MHz

(5.00mmx3.20mm)

510BBA000149BAGR

Si510晶振

74.175824MHz

(5.00mmx3.20mm)

510BBA74M2500BAGR

Si510晶振

74.25MHz

(5.00mmx3.20mm)

510FBA000149BAGR

Si510晶振

74.175824MHz

(5.00mmx3.20mm)

510FBA74M2500BAGR

Si510晶振

74.25MHz

(5.00mmx3.20mm)

511ABA000149BAGR

Si511晶振

74.175824MHz

(5.00mmx3.20mm)

511ABA74M2500BAGR

Si511晶振

74.25MHz

(5.00mmx3.20mm)

511BBA000149BAGR

Si511晶振

74.175824MHz

(5.00mmx3.20mm)

511BBA74M2500BAGR

Si511晶振

74.25MHz

(5.00mmx3.20mm)

511FBA000149BAGR

Si511晶振

74.175824MHz

(5.00mmx3.20mm)

511FBA74M2500BAGR

Si511晶振

74.25MHz

(5.00mmx3.20mm)

510ABA100M000AAGR

Si510晶振

100MHz

(7.00mmx5.00mm)

510ABA125M000AAGR

Si510晶振

125MHz

(7.00mmx5.00mm)

510BBA100M000AAGR

Si510晶振

100MHz

(7.00mmx5.00mm)

501EAA48M0000CAG晶振是Silicon集團(tuán)出口數(shù)量比較多的一款,上面表格里的是其他封裝型號的原廠編碼,每一款都在市面上熱銷,是知名的美國晶振品牌之一,成立多年,致力于研發(fā)優(yōu)質(zhì),性價比高的石英晶振和時序元件.501EAA48M0000CAG這條編碼上我們可以得知詳細(xì)的型號,尺寸,外觀,材料,精度,電壓,輸出,溫度,頻率等信息,這就是為什么現(xiàn)在采購都喜歡使用原廠編碼的因素.

Silicon晶振公司提供了業(yè)界最廣泛的石英振蕩器,時鐘發(fā)生器,時鐘緩沖器和抖動衰減器產(chǎn)品以及PCI Express(PCIe)時鐘發(fā)生器和PCI Express緩沖器產(chǎn)品組合Silicon公司的專利技術(shù)將一流的頻率靈活性與業(yè)界最低的抖動相結(jié)合,提供了石英晶振的定制解決方案,可簡化電路板設(shè)計(jì),減少分立組件并最大化系統(tǒng)性能.

美國Silicon振蕩器501EAA48M0000CAG編碼的實(shí)際意義

振蕩器對于確定節(jié)點(diǎn)可以將時間誤差保持在可接受水平的時間變得極為重要.使用±1.5µsLTE-TDD小型蜂窩移動網(wǎng)絡(luò)的端到端時間誤差限制,使用基于OCXO的振蕩器作為其本地參考的系統(tǒng)將時間誤差保持在此限制內(nèi)僅3個多小時,而使用一個基于TCXO溫補(bǔ)晶體振蕩器,其本地參考僅在20分鐘后就超過了此限制.事實(shí)證明,長期保持性能的限制因素是老化.

Silicon Laboratories.將繼續(xù)利用技術(shù)進(jìn)步來開發(fā)價格實(shí)惠且緊湊的本地時鐘,這些時鐘具有出色的穩(wěn)定性能(例如,經(jīng)過老化補(bǔ)償?shù)?/span>DOCXO石英晶振),這可能使節(jié)點(diǎn)能夠滿足LTE-TDD的端到端時間誤差限制,即使沒有物理層時鐘參考,也可以在24小時內(nèi)保持±1.5µs的蜂窩移動網(wǎng)絡(luò).Silicon Labs打算繼續(xù)測試這些改進(jìn)的振蕩器.

美國Silicon振蕩器501EAA48M0000CAG編碼的實(shí)際意義

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