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車規(guī)級(jí)晶體4150AT專用于汽車應(yīng)用的微晶產(chǎn)品

來(lái)源：金洛鑫瀏覽：- 發(fā)布日期：2024-05-21 16:47:00【大中小】

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車規(guī)級(jí)晶體4150AT專用于汽車應(yīng)用的微晶產(chǎn)品

Micron推出了業(yè)界首款四端口汽車級(jí)固態(tài)硬盤，可與多達(dá)四個(gè)SOC接口，用于sdv中的集中式架構(gòu)。

Micron微晶晶振公司目前正在對(duì)其汽車級(jí)產(chǎn)品進(jìn)行采樣4150AT固態(tài)硬盤聲稱是業(yè)界首款能夠與多達(dá)四個(gè)片上系統(tǒng)（SOC）接口的四端口產(chǎn)品，可在軟件定義的車輛（sdv）中集中存儲(chǔ)。主要特性包括單根輸入/輸出虛擬化（SR-IOV）、PCIe第4代接口和加固汽車設(shè)計(jì)。

到目前為止，固態(tài)硬盤解決方案尚未針對(duì)集中式系統(tǒng)架構(gòu)效率的提高進(jìn)行優(yōu)化，而是針對(duì)每個(gè)車輛功能在本地實(shí)施，通常需要一個(gè)PCIe開(kāi)關(guān)將一個(gè)驅(qū)動(dòng)器連接到多個(gè)SOC。相比之下，4150AT固態(tài)硬盤的存儲(chǔ)能力減少了布線，無(wú)需為系統(tǒng)或SOC提供接口PCIe交換解決方案。結(jié)果是提高了可靠性，并且據(jù)Micron稱，節(jié)省了大量成本。此外，石英晶振，4150AT固態(tài)硬盤獨(dú)特地提供了目標(biāo)功能安全ASIL-B能力和ASPICE級(jí)認(rèn)證。

4150AT采用176層TLC NAND構(gòu)建，可實(shí)現(xiàn)企業(yè)級(jí)性能和特定應(yīng)用功能，滿足了行業(yè)對(duì)集中式架構(gòu)的需求。它還為車內(nèi)檢測(cè)問(wèn)題提供了數(shù)據(jù)中心級(jí)安全功能和強(qiáng)大的自檢功能。

4150AT固態(tài)硬盤可為消費(fèi)類汽車提供企業(yè)級(jí)速度，對(duì)于4千字節(jié)的傳輸，隨機(jī)讀寫速度分別超過(guò)每秒60萬(wàn)次I/O操作（IOPS）和10萬(wàn)次IOPS。高性能使驅(qū)動(dòng)器能夠同時(shí)管理來(lái)自多個(gè)SOC的數(shù)據(jù)流，從而更好地進(jìn)行多任務(wù)處理，以處理從高級(jí)駕駛員輔助系統(tǒng)（ADAS）到車載信息娛樂(lè)和人工智能座艙體驗(yàn)的各種系統(tǒng)。

Micron晶振廠家4150AT汽車固態(tài)硬盤采用176L TLC NAND構(gòu)建，可提供企業(yè)級(jí)性能，具有壽命長(zhǎng)、可靠性高、質(zhì)量好、堅(jiān)固耐用和特定應(yīng)用功能等特點(diǎn)。汽車認(rèn)證，ASIL B級(jí)和ASPICE級(jí)。

固態(tài)硬盤的可定制功能是為應(yīng)對(duì)下一代汽車架構(gòu)的挑戰(zhàn)而量身定制的。其中包括多端口功能、SR-IOV虛擬化功能（適用于多達(dá)64臺(tái)虛擬機(jī)的繁重多主機(jī)工作負(fù)載）以及獨(dú)特的虛擬化技術(shù)（可在硬件中將每臺(tái)虛擬機(jī)的數(shù)據(jù)相互隔離）帶來(lái)的更高的安全性。

4150AT固態(tài)硬盤還提供可定制的續(xù)航模式。它采用TLC NAND構(gòu)建，但可以配置為支持單層單元（SLC）和高耐久性（HE-SLC）數(shù)據(jù)耐久性組，以最好地滿足獨(dú)特的數(shù)據(jù)要求。

Micron晶振廠家目前正在向全球汽車客戶提供4150AT固態(tài)硬盤樣品。固態(tài)硬盤采用球柵陣列封裝，有助于承受汽車環(huán)境中的沖擊和振動(dòng)。該驅(qū)動(dòng)器的容量高達(dá)1.8，可為下一代汽車高效存儲(chǔ)人工智能算法、大型語(yǔ)言模型、高級(jí)信息娛樂(lè)和遙測(cè)數(shù)據(jù)。

車規(guī)級(jí)晶體4150AT專用于汽車應(yīng)用的微晶產(chǎn)品

Micron的虛擬化多端口4150AT固態(tài)硬盤為日益復(fù)雜的軟件定義車輛提供了一種新的集中決策模式

德國(guó)紐倫堡2024年4月9日電（環(huán)球新聞網(wǎng)）嵌入式世界-- Micron Technology，Inc .（Nasdaq:MU）今天宣布正在對(duì)汽車級(jí)Micron 4150AT固態(tài)硬盤進(jìn)行采樣，這是世界上首款四端口固態(tài)硬盤。1能夠與多達(dá)四個(gè)片上系統(tǒng)（SOC）接口，以集中存儲(chǔ)軟件定義的智能汽車。Micron貼片晶振4150AT固態(tài)硬盤結(jié)合了市場(chǎng)領(lǐng)先的功能，如單根輸入/輸出虛擬化（SR-IOV）、PCIe®第四代接口和加固汽車設(shè)計(jì)。憑借這些特性，汽車級(jí)固態(tài)硬盤為生態(tài)系統(tǒng)提供了數(shù)據(jù)中心級(jí)的靈活性和強(qiáng)大功能。

Micron嵌入式產(chǎn)品和系統(tǒng)副總裁Michael Basca表示:“隨著存儲(chǔ)需求競(jìng)相跟上以人工智能和高級(jí)算法為特色的豐富車載體驗(yàn)，以實(shí)現(xiàn)更高級(jí)別的自動(dòng)安全，這個(gè)時(shí)代需要一種新的汽車存儲(chǔ)模式來(lái)與之匹配。“在我們與重新定義下一代汽車架構(gòu)的創(chuàng)新者合作的基礎(chǔ)上，Micron重新構(gòu)想了存儲(chǔ)，推出了世界上首款四端口固態(tài)硬盤Micron 4150AT，為推出即將到來(lái)的變革性技術(shù)提供了行業(yè)靈活性和動(dòng)力。”

Micron的4150AT固態(tài)硬盤為消費(fèi)類汽車帶來(lái)了企業(yè)級(jí)的速度，對(duì)于4千字節(jié)的傳輸，隨機(jī)讀寫速度分別超過(guò)每秒60萬(wàn)次輸入/輸出操作（IOPS）和10萬(wàn)次IOPS。2這種高性能使驅(qū)動(dòng)器能夠同時(shí)有效管理來(lái)自多個(gè)SOC的數(shù)據(jù)流，使其成為必須越來(lái)越多任務(wù)處理各種系統(tǒng)的車輛的理想解決方案，從高級(jí)駕駛員輔助系統(tǒng)（ADAS）到車載信息娛樂(lè)系統(tǒng)（IVI）再到支持人工智能的座艙體驗(yàn)。

車規(guī)級(jí)晶體4150AT專用于汽車應(yīng)用的微晶產(chǎn)品

Micron構(gòu)建其4150AT固態(tài)硬盤以提供強(qiáng)大的可定制功能，這些功能受數(shù)據(jù)中心固態(tài)硬盤設(shè)計(jì)的啟發(fā)，但針對(duì)下一代汽車架構(gòu)的獨(dú)特挑戰(zhàn)進(jìn)行了定制，包括:

●多端口功能：第一款擁有四個(gè)端口的終端市場(chǎng)固態(tài)硬盤，3Micron 4150AT固態(tài)硬盤最多可連接四個(gè)SOC，帶來(lái)無(wú)與倫比的靈活性，并創(chuàng)建單一的真實(shí)來(lái)源。例如，汽車OEM可以將一個(gè)端口連接到ADAS系統(tǒng)，將另一個(gè)端口連接到IVI系統(tǒng)，從而允許每個(gè)端口存儲(chǔ)私有數(shù)據(jù)，同時(shí)訪問(wèn)一組通用的關(guān)鍵地圖數(shù)據(jù)，并降低每千兆字節(jié)的存儲(chǔ)成本。這提高了性能并消除了瓶頸，因?yàn)閮烧呖梢酝瑫r(shí)訪問(wèn)共享數(shù)據(jù)，并減少了保留數(shù)據(jù)冗余副本的需求。耐高溫晶振4150AT的四端口還減少了對(duì)額外存儲(chǔ)設(shè)備的需求。由于現(xiàn)有解決方案通常只能單獨(dú)連接到一個(gè)SoC，因此它們傾向于放置在每個(gè)汽車系統(tǒng)的本地，從而導(dǎo)致未使用的容量；或者要求原始設(shè)備制造商使用昂貴的汽車級(jí)PCIe開(kāi)關(guān)將驅(qū)動(dòng)器連接到多個(gè)SOC。通過(guò)為多個(gè)系統(tǒng)集中存儲(chǔ)，固態(tài)硬盤在簡(jiǎn)化架構(gòu)的同時(shí)顯著提高了效率。

●虛擬化：4150AT的SR-IOV功能可為多達(dá)64臺(tái)虛擬機(jī)的繁重多主機(jī)工作負(fù)載提供高性能。獨(dú)特的虛擬化為每個(gè)SoC及其虛擬機(jī)提供了一個(gè)用于本地處理的隔離存儲(chǔ)區(qū)域，同時(shí)共享一個(gè)存儲(chǔ)池，從而最大限度地提高了效率。這種對(duì)多主機(jī)工作負(fù)載的支持至關(guān)重要，因?yàn)楫?dāng)今的汽車SOC越來(lái)越多地使用虛擬機(jī)跨不同功能進(jìn)行多任務(wù)處理，從自動(dòng)駕駛到車對(duì)車通信。SR-IOV功能通過(guò)將輸入/輸出（I/o）從虛擬機(jī)直接定向到SSD硬件提供了優(yōu)勢(shì)，這與典型的半虛擬化形成了鮮明對(duì)比，在典型的半虛擬化中，I/o通過(guò)軟件虛擬機(jī)管理程序路由到SSD，從而產(chǎn)生了延遲。通過(guò)繞過(guò)軟件層，該驅(qū)動(dòng)器將隨機(jī)讀取性能提高了三倍。4

●增強(qiáng)安全性：由于其獨(dú)特的虛擬化技術(shù)，4150AT硬盤還可以提高汽車制造商的安全性?；赟R-IOV虛擬化，每個(gè)虛擬機(jī)的數(shù)據(jù)都與硬件中的其他虛擬機(jī)隔離開(kāi)來(lái)，以減少數(shù)據(jù)或代碼泄漏，同時(shí)減少一個(gè)虛擬機(jī)中的黑客攻擊企圖危及另一個(gè)虛擬機(jī)的安全，從而維護(hù)關(guān)鍵數(shù)據(jù)的隱私和安全。

●可定制的續(xù)航模式：Micron貼片晶振4150AT固態(tài)硬盤采用三層單元（TLC）NAND，但也可以配置為支持單層單元（SLC）和高耐久性（HE-SLC）數(shù)據(jù)耐久性組，這兩種組的耐久性分別是TLC的20倍和50倍，以最好地滿足獨(dú)特的數(shù)據(jù)要求。例如，何-SLC耐力組可用于重寫入用例，如連續(xù)黑匣子數(shù)據(jù)記錄，其中汽車必須不斷重新記錄來(lái)自傳感器、攝像頭和激光雷達(dá)的關(guān)鍵數(shù)據(jù)。在數(shù)據(jù)每隔幾分鐘就被編程和擦除的情況下，HE-SLC模式提供了所需的耐用性，同時(shí)消除了對(duì)DRAM等更昂貴的易失性存儲(chǔ)器的需求。

●有計(jì)劃的對(duì)于汽車行業(yè)的嚴(yán)格要求：Micron 4150AT固態(tài)硬盤具有汽車安全完整性等級(jí)B（ASIL-B）功能，可支持安全系統(tǒng)要求，并采用球柵陣列封裝，有助于承受汽車惡劣環(huán)境下的典型沖擊和振動(dòng)。與Micron汽車級(jí)產(chǎn)品組合中的所有解決方案一樣，該驅(qū)動(dòng)器的設(shè)計(jì)能夠承受汽車中的擴(kuò)展溫度范圍。

Micron目前正在向全球汽車客戶提供4150AT固態(tài)硬盤的樣品。該驅(qū)動(dòng)器的容量高達(dá)1.8，可為下一代汽車高效存儲(chǔ)人工智能算法、大型語(yǔ)言模型、高級(jí)信息娛樂(lè)和遙測(cè)數(shù)據(jù)。該公司將于4月9日至11日在德國(guó)紐倫堡的嵌入式世界展上5-109展位展示固態(tài)硬盤的演示。

品牌	制造商零件編號(hào)	描述
Micro晶振	OV-7604-C7-32.768k-20PPM-TB-QA	32.768 kHz +/-20 PPM -40/+125C AEC-Q200
Micro晶振	OV-7604-C7-32.768kHz-20PPM-TA-QC	32.768 kHz +/-20 PPM -40/+85C
Micro晶振	MS1V-T1K-32.768kHz-12.5pF-20PPM-TA-QC-Au	32.768 kHz 12.5 pF +/-20 PPM -40/+85C
Micro晶振	CM7V-T1A-32.768kHz-7pF-100PPM-TA-QC	32.768 kHz 7.0 pF +/-100 PPM -40/+85C
Micro晶振	CM8V-T1A-32.768kHz-9pF-20PPM-TA-QC	32.768 kHz 9.0 pF +/-20 PPM -40/+85C
進(jìn)口晶振	MS1V-T1K-32.768kHz-7pF-20PPM-TA-QC-Au	32.768 kHz 7.0 pF +/-20 PPM -40/+85C
Micro晶振	CC4V-T1A-32.768kHz-12.5pF-20PPM-TA-QC	32.768 kHz 12.5 pF +/-20 PPM -40/+85C
Micro晶振	CC5V-T1A-32.768kHz-12.5pF-20PPM-TA-QC	32.768 kHz 12.5 pF +/-20 PPM -40/+85C
Micro晶振	CC5V-T1A-32.768kHz-9pF-20PPM-TA-QC	32.768 kHz 9.0 pF +/-20 PPM -40/+85C
Micro晶振	OV-0100-C7-100.000kHz-20PPM-TA-QC	100.0 kHz +/-20 PPM -40/+85C
Micro晶振	OM-0100-C8-100.00kHz-20PPM-TA-QC	100.0 kHz +/-20 PPM -40/+85C
Micro晶振	CM7V-T1A-32.768kHz-7pF-20PPM-TA-QC	32.768 kHz 7.0 pF +/-20 PPM -40/+85C
Micro晶振	CM7V-T1A-32.768kHz-12.5pF-20PPM-TA-QC	32.768 kHz 12.5 pF +/-20 PPM -40/+85C
Micro晶振	CC7V-T1A-32.768kHz-12.5pF-20PPM-TA-QC	32.768 kHz 12.5 pF +/-20 PPM -40/+85C
Micro晶振	MS3V-T1R-32.768kHz-12.5pF-20PPM-TA-QC-Au	32.768 kHz 12.5 pF +/-20 PPM -40/+85C
Micro晶振	MS3V-T1R-32.768kHz-7pF-20PPM-TA-QC-Au	32.768 kHz 7.0 pF +/-20 PPM -40/+85C
Micro晶振	CC7V-T1A-32.768kHz-7pF-100PPM-TA-QC	32.768 kHz 7.0 pF +/-100 PPM -40/+85C
Micro晶振	CC7V-T1A-32.768kHz-9pF-20PPM-TA-QC	32.768 kHz 9.0 pF +/-20 PPM -40/+85C
Micro晶振	CM8V-T1A-32.768k-12.5pF-20PPM-TB-QA	32.768 kHz 12.5 pF +/-20 PPM AEC-Q200
Micro晶振	CM8V-T1A-32.768k-9pF-20PPM-TB-QA	32.768 kHz 9.0 pF +/-20 PPM -40/+125C
Micro晶振	MS1V-T1K-32.768kHz-10pF-20PPM-TA-QC-Au	32.768 kHz 10.0 pF +/-20 PPM -40/+85C
Micro晶振	CC5V-T1A-32.768kHz-7pF-20PPM-TA-QC	32.768 kHz 7.0 pF +/-20 PPM -40/+85C
Micro晶振	CM8V-T1A-32.768kHz-12.5pF-20PPM-TA-QC	32.768 kHz 12.5 pF +/-20 PPM -40/+85C
Micro晶振	CM7V-T1A-32.768kHz-9pF-20PPM-TA-QC	32.768 kHz 9.0 pF +/-20 PPM -40/+85C
Micro晶振	CM8V-T1A-32.768kHz-7pF-20PPM-TA-QC	32.768 kHz 7.0 pF +/-20 PPM -40/+85C
Micro晶振	OM-7605-C8-32.768kHz-20PPM-TA-QC	32.768 kHz +/-20 PPM -40/+85C
Micro晶振	OM-7604-C7-32.768kHz-20PPM-TA-QC	32.768 kHz +/-20 PPM I2C -40/+85C
Micro晶振	MS3V-T1R-32.768kHz-9pF-20PPM-TA-QC-Au	32.768 kHz 9.0 pF +/-20 PPM -40/+85C
Micro晶振	CM7V-T1A-Low-ESR-32.768kHz-9pF-20-TA-QC	32.768 kHz 9.0 pF +/-20 PPM LOW ESR
Micro晶振	CC7V-T1A-32.768kHz-7pF-20PPM-TA-QC	32.768 kHz 7.0 pF +/-20 PPM -40/+85C
Micro晶振	CM7VT1A-LowESR-32.768kHz-12.5pF-20-TA-QC	32.768 kHz 12.5 pF +/-20 PPM LOW ESR
Micro晶振	CM7V-T1A-Low-ESR-32.768kHz-7pF-20-TA-QC	32.768 kHz 7.0 pF +/-20 PPM LOW ESR