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熱門關鍵詞 : 石英晶體諧振器進口晶振精工晶振京瓷晶振西鐵城晶振鴻星晶振石英晶振加高晶振希華晶振NDK晶振村田晶振

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AEL晶振,貼片晶振,125302晶振,進口無源晶振

頻率:24~80MHZ

尺寸:1.6*1.2mm

小型表面貼片晶振型,是標準的石英晶體諧振器,適用于寬溫范圍的電子數(shù)碼產品,家電電器及MP3,MP4,播放器,單片機等領域.可對應24MHz以上的頻率,在電子數(shù)碼產品,以及家電相關電器領域里面發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求.
訂購熱線:0755-27837162
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    AEL在英國,日本,臺灣,南韓等地區(qū)使用精心挑選的石英晶體諧振器生產基地網(wǎng)絡。韓國中國和美國使我們能夠為這類組件提供真正的全球采購。這降低了這種高需求產品類型供應中斷的風險。我們通過實施全面的英國庫存政策進一步提高可用性。我們AEL晶體有限公司已借此機會為您提供最新的信息供您參考。
    我們與所有供應商建立了長期的合作關系,并擁有悠久的高品質和無故障供應歷史。我們的一些制造合作伙伴已經(jīng)為AEL生產了超過10年的無源晶振產品。這使我們能夠自信地提供一個批次的可靠性,質量,一致性和可重復性的可靠記錄.AEL晶體有限公司是ISO 9002-2008認可的供應商,目前管理著廣泛的國際認可的藍籌客戶。1.6*1.2小體積貼片晶振,金屬4P石英諧振器,125302晶振

      AEL晶振,貼片晶振,125302晶振,進口無源晶振,小型貼片石英晶振,外觀尺寸具有薄型表面貼片型石英晶體諧振器,特別適用于有小型化要求的市場領域,比如智能手機,無線藍牙,平板電腦等電子數(shù)碼產品.晶振本身超小型,薄型,重量輕,晶體具有優(yōu)良的耐環(huán)境特性,如耐熱性,耐沖擊性,在辦公自動化,家電相關電器領域及Bluetooth,Wireless LAN等短距離無線通信領域可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求.
    石英晶振高精度晶片的拋光技術:貼片晶振是目前晶片研磨技術中表面處理技術的最高技術,最終使晶振晶片表面更光潔,平行度及平面度更好,降低諧振電阻,提高Q值。從而達到一般研磨所達不到的產品性能,使石英晶振的等效電阻等更接近理論值,使晶振可在更低功耗下工作。使用先進的牛頓環(huán)及單色光的方法去檢測晶片表面的狀態(tài)。1.6*1.2小體積貼片晶振,金屬4P石英諧振器,125302晶振

AEL晶振

單位

125302晶振

石英晶振基本條件

標準頻率

f_nom

24~80MHZ

標準頻率

儲存溫度

T_stg

-40°C~+85°C

裸存

工作溫度

T_use

-20°C~+70°C

標準溫度

激勵功率

DL

50μW Max.

推薦:100μW

頻率公差

f_— l

±30× 10-6 

+25°C 對于超出標準的規(guī)格說明,
請聯(lián)系我們以便獲取相關的信息,http://www.upap-pt.com/

頻率溫度特征

f_tem

±30× 10-6/-30°C~+85°C

超出標準的規(guī)格請聯(lián)系我們.

負載電容

CL

8~16PF

不同負載電容要求,請聯(lián)系我們.

串聯(lián)電阻(ESR)

R1

如下表所示

-40°C~+85°C, DL = 100μW

頻率老化

f_age

±2× 10-6/year Max.

+25°C,第一年

1.6*1.2小體積貼片晶振,金屬4P石英諧振器,125302晶振

1.6*1.2小體積貼片晶振,金屬4P石英諧振器,125302晶振

    一般來說,微處理器的振蕩電路由考畢茲電路顯示派生如下:鎘和CG是外部負載電容,其中已建成的芯片組。 (請參閱芯片組的規(guī)格)Rf為具有200KΩ?1MΩ反饋電阻。石英晶體的內置芯片一般設置。Rd為限流電阻470Ω與1KΩ?。這個阻力是沒有必要的公共電路,但僅用于具有高電源電路。AEL晶振,貼片晶振,125302晶振,進口無源晶振

    一個穩(wěn)定的振蕩電路需要的負電阻,其值應是無源石英晶振阻力的至少五倍。它可寫為|-R|>5的Rr。例如,為了獲得穩(wěn)定的振蕩電路中,IC的負電阻的值必須小于?200Ω時的晶振電阻值是40Ω。負阻“的標準來評估一個振蕩電路的質量。在某些情況下,例如老化,熱變化,電壓變化,以及等等,電路可能不會產生振蕩的“Q”值是低的。因此,這是非常重要的衡量負電阻(-R)以下說明:

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    線路連接的電阻(R)與晶體串聯(lián)(2)從起點到振蕩的停止點調整R的值。(3)振蕩期間測量R的值。(4)你將能夠獲得負電阻的值,|•R|= R +的Rr,和RR =晶振的阻力。附:所連接的電路的雜散電容,可能會影響測定值。如果小型貼片晶振的參數(shù)是正常的,但它不工作穩(wěn)步振蕩電路中,我們將不得不找出IC的電阻值是否過低驅動電路。如果是這樣的話,我們有三種方法來改善這樣的情況:降低外部電容(Cd和CG)的值,并采用其他晶振具有較低負載電容(CL)。采用具有較低電阻(RR)的晶振。使用光盤和CG的不等價的設計。我們可以增加鎘(XOUT)的負載電容和降低CG(辛)的負載電容以提高從辛波形幅度將在其后端電路中使用的輸出。1.6*1.2小體積貼片晶振,金屬4P石英諧振器,125302晶振

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    振蕩補償:除非在小型1612SMD晶體振蕩電路中提供足夠的負極電阻,否則會增加振蕩啟動時間,或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生,請在電路設計時提供足夠的負極電阻。AEL晶振,貼片晶振,125302晶振,進口無源晶振

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    測試條件:(1)電源電壓:超過 150µs,直到電壓級別從 0 %達到 90 % 。電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。(2)其他:輸入電容低于 15 pF5倍頻率范圍或更多測量頻率。鉛探頭應盡可能短。測量1.6*1.2小型無源晶振頻率時,探頭阻抗將高于 1MΩ。當波形經(jīng)過振蕩器的放大器時,可同時進行測量。(3)其他:CL包含探頭電容。應使用帶有小的內部阻抗的電表。使用微型插槽,以觀察波形。(請勿使用該探頭的長接地線).

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    晶體諧振腔的形式模式,但泛音振蕩或基波。振蕩開始代替。在石英晶振1612基本諧振的情況下(MHz頻段)反饋電阻通常是1米?。在泛音諧振器(兆赫頻帶)的情況下,值取決于IC和頻率特性,但在幾個范圍內。K?-?幾十K。在音叉式諧振器的案例(kHz頻段),需要連接一個電阻10米或更?。限制流入諧振器的電流,調節(jié)負電阻和勵磁。電平,防止諧振腔的反常振蕩,抑制頻率波動。C1、C2電容器調節(jié)負電阻、勵磁電平和振蕩頻率。還設置有給定負載能力。
     適當?shù)目刂?a title="金屬面貼片晶振" target="_blank">金屬面貼片晶振電阻值(RD)取決于諧振器的類型,頻帶和設備的價值。電容器(C1,C2)。精確值是通過測量振蕩電路的特性來確定的(包括負電阻和驅動級)。AT切割諧振器(兆赫頻帶)的參考值在幾個范圍內。?幾K?。音叉式諧振器(kHz頻段)的參考值在100 K?幾K?范圍。安裝電容器的適當值取決于諧振器的類型、頻帶、控制電阻器的值和振蕩的順序,在3 pF的范圍內- 33 pF左右,僅供參考。1.6*1.2小體積貼片晶振,金屬4P石英諧振器,125302晶振

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智能手機晶振,產品具有高精度超小型的表面貼片型石英晶體振蕩器,最適用于移動通信終端的基準時鐘等移動通信領域.比如智能手機,無線通信,衛(wèi)星導航,平臺基站等較高端的數(shù)碼產品,晶振本身小型,薄型具備各類移動通信的基準時鐘源用頻率,貼片晶振具有優(yōu)良的電氣特性,耐環(huán)境性能適用于移動通信領域,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.
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