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TX30S3A壓控溫補晶振,艾西迪有源振蕩器,TX30S3A1200WBIBXZL-PF[12MHz]晶振

頻率:9.6~50

尺寸:3.2*2.5mm

小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也使產品帶來了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點,SMD高速自動安裝和高溫回流焊設計,Optionable待機輸出三態(tài)輸出功能,電源電壓范圍:1.8V~5V,高穩(wěn)定性,低抖動,低功耗,主要應用領域:無線通訊,高端智能手機,平板筆記本WLAN,藍牙,數碼相機,DSL和其他IT產品的晶振應用,三態(tài)功能,PC和LCDM等高端數碼領域,符合RoHS/無鉛.

訂購熱線:0755-27837162
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         TX30S3A壓控溫補晶振,艾西迪有源振蕩器,TX30S3A1200WBIBXZL-PF[12MHz]晶振,ACT艾西迪晶振與Esterline研究和設計(ERD)的合作使我們能夠突破高精度貼片振蕩器技術的界限。這些突破性產品為石英晶振,壓控溫補晶體振蕩器,TCXO溫補晶體振蕩器和OCXO設立了新標準,創(chuàng)造了當今市場上性能最高,最精確的振蕩器技術。
        無論您需要新技術,如M-SAC增強型振蕩器,還是簡單的基本石英晶振,艾西迪晶振的工程團隊都將幫助您為您的應用選擇合適的解決方案,并在整個設計周期和生產過程中為您提供支持。憑借30多年的頻率控制專業(yè)知識,我們很高興能夠應對您的設計挑戰(zhàn)和產品需求。

         小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也使產品帶來了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點,SMD高速自動安裝和高溫回流焊設計,Optionable待機輸出三態(tài)輸出功能,電源電壓范圍:1.8V~5V,高穩(wěn)定性,低抖動,低功耗,主要應用領域:無線通訊,高端智能手機,平板筆記本WLAN,藍牙,數碼相機,DSL和其他IT產品的晶振應用,三態(tài)功能,PC和LCDM等高端數碼領域,符合RoHS/無鉛.

          TX30S3A壓控溫補晶振,艾西迪有源振蕩器,TX30S3A1200WBIBXZL-PF[12MHz]晶振,貼片晶振晶片邊緣處理技術:貼片晶振是晶片通過滾筒倒邊,主要是為了去除晶振晶片的邊緣效應,在實際操作中機器運動方式設計、滾筒的曲率半徑、滾筒的長短、使用的研磨砂的型號、多少、填充物種類及多少等各項設計必須合理,有一項不完善都會使SMD晶振晶片的邊緣效應不能去除,而石英晶振晶片的諧振電阻過大,用在電路中Q值過小,從而電路不能振動或振動了不穩(wěn)定。

     Parameters  Specification Remarks
Frequency range F_nom 9.6MHz ~ 50.0MHz
Supply voltage Vcc 3 .0V, 3.3V Vcc±5%
Frequency stability (overall, 20 years) ±4.6ppm  Including initial tolerance, freq. stability over
temperature, load change, Vcc change, 20
year aging and reflow soldering.
 Initial frequency tolerance F_tol   ±1.0ppm At +25°C±2°C, within 30 days after ex‐works
Frequency stability vs Temperature F_stb ±0.28ppm, ±0.5ppm Over ‐40°C ~ +85°C, fref=(fmax+fmin)/2
vs Load F_load ±0.1ppm max ±5% load condition change
vs Voltage F_Vcc ±0.1ppm max ±5% input voltage change
vs Day Aging F_age ±0.02ppm/year max At +25°C and after 1h of operation
vs Year aging ±1.0ppm/year max
Operating temperature range (°C) Topr   ‐20°C ~ +70°C,  ‐40°C ~ +85°C
Storage temperature (°C) Tstg ‐55°C ~ +105°C
Output wave form Clipped sine wave(CSW)
Output load 10K?//10pF
Output voltage level (CSW) 0.8V p‐p (min)
Current consumption Icc   5.0mA max
VC‐TCXO option only
Control Voltage Vc 1.5V ± 1.0V
Frequency tuning (ppm) ±10.0ppm ~ ±15.0ppm For custom specification please enquire
Linearity/Slope polarity ±10.0% max/Positive slope Positive vo ltage for positive frequency  shift

TX30S3A 尺寸

抗沖擊
            晶振可能會在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落或在貼裝過程中受到沖擊。如果產品已受過沖擊請勿使用。TX30S3A壓控溫補晶振,艾西迪有源振蕩器,TX30S3A1200WBIBXZL-PF[12MHz]晶振.
          暴露于輻射環(huán)境會導致石英貼片晶振晶體性能受到損害,因此應避免照射。
化學制劑/pH值環(huán)境
          請勿在PH值范圍可能導致腐蝕或溶解晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產品。
粘合劑
          請勿使用可能導致SMD晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。 (比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶體單元的金屬“蓋”,從而破壞密封質量,降低性能。)
鹵化合物
          請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用貼片石英晶振。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內或封裝所用金屬部件內,都可能產生腐蝕。同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂。 
靜電
         過高的靜電可能會損壞進口有源晶振,請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導電材料。在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進行接地操作。

TX30S3A  11

JLX-6

RB-6

wxewm

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