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TX25SE溫度補償晶體振蕩器,ACT低損耗晶振,TX25SE2400ROKBXHL-PF[24MHz]晶振

頻率：13~55MHZ

尺寸：2.5*2.0mm

有源晶振,是指晶體本身起振需要外部電壓供應(yīng),起振后可直接驅(qū)動CMOS集成電路,產(chǎn)品本身已實現(xiàn)與薄型IC(TSSOP封裝,TVSOP封裝)同樣的1mm厚度,斷開時的消費電流是15µA以下,編帶包裝方式可對應(yīng)自動搭載及IR回流焊接(無鉛對應(yīng))產(chǎn)品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應(yīng)對不同IC產(chǎn)品需要.

訂購熱線：0755-27837162

TX25SE溫度補償晶體振蕩器,ACT低損耗晶振,TX25SE2400ROKBXHL-PF[24MHz]晶振，ACT艾西迪晶振與Esterline研究和設(shè)計（ERD）的合作使我們能夠突破高精度貼片振蕩器技術(shù)的界限。這些突破性產(chǎn)品為石英晶振，TCXO溫補晶振和OCXO設(shè)立了新標(biāo)準(zhǔn)，創(chuàng)造了當(dāng)今市場上性能最高，最精確的振蕩器技術(shù)。
無論您需要新技術(shù)，如M-SAC增強型振蕩器，還是簡單的基本石英晶振，艾西迪晶振的工程團(tuán)隊都將幫助您為您的應(yīng)用選擇合適的解決方案，并在整個設(shè)計周期和生產(chǎn)過程中為您提供支持。憑借30多年的頻率控制專業(yè)知識，我們很高興能夠應(yīng)對您的設(shè)計挑戰(zhàn)和產(chǎn)品需求。

TX25SE溫度補償晶體振蕩器,ACT低損耗晶振,TX25SE2400ROKBXHL-PF[24MHz]晶振，貼片晶振晶片邊緣處理技術(shù)：貼片晶振是晶片通過滾筒倒邊，主要是為了去除晶振晶片的邊緣效應(yīng)，在實際操作中機器運動方式設(shè)計、滾筒的曲率半徑、滾筒的長短、使用的研磨砂的型號、多少、填充物種類及多少等各項設(shè)計必須合理，有一項不完善都會使SMD晶振晶片的邊緣效應(yīng)不能去除，而石英晶振晶片的諧振電阻過大，用在電路中Q值過小，從而電路不能振動或振動了不穩(wěn)定。

Parameters

Specification

Remarks

Frequency range

F_nom

13.0MHz ~ 55.0MHz

Limited frequencies available: 16MHz,
16.368MHz, 16.384MHz, 16.8MHz, 19.2MHz,
20MHz, 26MHz, 27MHz, 30MHz, 32MHz,
38.4MHz, 40MHz

Supply voltage

Vcc

1.8V ±0.1V, 2.8V ±5%, 3.0V ±5%, 3.3V ±5%

Supply voltage range: 1.7V to 3.63V

Initial frequency tolerance

F_tol

±1.5ppm max

At +25°C, after reflow

Frequency stability

vs Temperature

F_stb

±0.5ppm max over ‐40°C ~ +85°C

±2.0ppm max over ‐40°C ~ +85°C

vs Load

F_load

±0.1ppm max

±10% load condition change

vs Voltage

F_Vcc

±0.1ppm max

±5% input voltage change

vs Aging

F_age

Table 2

Current consumption

Icc

Table 1

Operating temperature range (°C)

Topr

‐40°C ~ +85°C

Storage temperature (°C)

Tstg

‐40°C ~ +90°C

Output wave form

Clipped sine wave

Output voltage level

0.8V p‐ p (min.)

Output Load

10K?//10pF

DC cut capacitor = 0.01 μ F

Start‐ up time

T_str

1.0ms max

Reach 90% amplitude at +25°C

抗沖擊
  晶振可能會在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落或在貼裝過程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用。
  暴露于輻射環(huán)境會導(dǎo)致石英貼片晶振晶體性能受到損害，因此應(yīng)避免照射。
化學(xué)制劑/pH值環(huán)境
  請勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產(chǎn)品。TX25SE溫度補償晶體振蕩器,ACT低損耗晶振,TX25SE2400ROKBXHL-PF[24MHz]晶振.
粘合劑
請勿使用可能導(dǎo)致SMD晶振所用的封裝材料，終端，組件，玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。（比如，氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶體單元的金屬“蓋”，從而破壞密封質(zhì)量，降低性能。）
鹵化合物
  請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用貼片石英晶振。即使少量的鹵素氣體，比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi)，都可能產(chǎn)生腐蝕。同時，請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂。
靜電
過高的靜電可能會損壞進(jìn)口有源晶振，請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時候，請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路，并進(jìn)行接地操作。