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ACT晶振,TWC912晶振,SAB00003GIHD-PF-32.768KHz晶振

頻率：32.768KHZ

尺寸：2.0*1.2mm

貼片表晶32.768K系列具有超小型,薄型,質(zhì)地輕的表面貼片音叉型石英晶體振蕩器,晶振產(chǎn)品本身具備優(yōu)良的耐熱性,耐環(huán)境特性,在辦公自動化,家電領(lǐng)域,移動通信領(lǐng)域可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,符合無鉛標準,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求,金屬外殼的石英晶振使得產(chǎn)品在封裝時能發(fā)揮比陶瓷晶振外殼更好的耐沖擊性能.

訂購熱線：0755-27837162

ACT晶振,TWC912晶振,SAB00003GIHD-PF-32.768KHz晶振，ACT與Esterline研究和設(shè)計（ERD）的合作使我們能夠突破高精度振蕩器技術(shù)的界限。這些突破性產(chǎn)品為石英晶振，TCXO和OCXO設(shè)立了新標準，創(chuàng)造了當(dāng)今市場上性能最高，最精確的振蕩器技術(shù)。
ACT晶振,TWC912晶振,SAB00003GIHD-PF-32.768KHz晶振，無論您需要新技術(shù)，如M-SAC增強型振蕩器，還是簡單的基本無源晶振，我們的工程團隊都將幫助您為您的應(yīng)用選擇合適的解決方案，并在整個設(shè)計周期和生產(chǎn)過程中為您提供支持。憑借30多年的頻率控制專業(yè)知識，我們很高興能夠應(yīng)對您的設(shè)計挑戰(zhàn)和產(chǎn)品需求。

ACT晶振,TWC912晶振,SAB00003GIHD-PF-32.768KHz晶振，貼片表晶32.768K系列具有超小型,薄型,質(zhì)地輕的表面貼片音叉型石英晶體振蕩器,晶振產(chǎn)品本身具備優(yōu)良的耐熱性,耐環(huán)境特性,在辦公自動化,家電領(lǐng)域,移動通信領(lǐng)域可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,符合無鉛標準,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求,金屬外殼的石英晶振使得產(chǎn)品在封裝時能發(fā)揮比陶瓷晶振外殼更好的耐沖擊性能.

貼片晶振晶片邊緣處理技術(shù)：無源貼片晶振是晶片通過滾筒倒邊，主要是為了去除晶振晶片的邊緣效應(yīng)，在實際操作中機器運動方式設(shè)計、滾筒的曲率半徑、滾筒的長短、使用的研磨砂的型號、多少、填充物種類及多少等各項設(shè)計必須合理，有一項不完善都會使SMD晶振晶片的邊緣效應(yīng)不能去除，而石英晶振晶片的諧振電阻過大，用在電路中Q值過小，從而電路不能振動或振動了不穩(wěn)定。

Parameters		Specification	Remarks
Frequency	F_nom	32.768kHz
Frequency tolerance	F_tol	±10ppm, ±20ppm, ±50ppm, ±100ppm	at 25°C ± 3°C
Operating temperature range	T_use	‐40°C ~ +85°C
Storage temperature	T_stg	‐55°C ~ +125°C
Temperature coefficient	K	‐0.03±0.01 ppm/°C²
Turnover temperature	Ti	25°C ± 5°C
Load capacitance	CL	7pF, 9pF, 12.5pF
Equivalent series resistance	ESR	90K? max	For 50K? max ‐ please enquire
Motional capacitance	C1	6.5fF typical
Shunt capacitance	C0	1.3pF typical
Drive level	DL	0.5μW max
Frequency aging	F_age	±5.0ppm max	First year
Insulation resistance	IR	500M? min	At DC100V ± 15V

抗沖擊
晶振可能會在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落或在貼裝過程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用。
輻射
  暴露于輻射環(huán)境會導(dǎo)致石英晶體性能受到損害，因此應(yīng)避免照射。
化學(xué)制劑/pH值環(huán)境
  請勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產(chǎn)品。 ACT晶振,TWC912晶振,SAB00003GIHD-PF-32.768KHz晶振.
粘合劑
請勿使用可能導(dǎo)致SMD無源晶振所用的封裝材料，終端，組件，玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。（比如，氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶體單元的金屬“蓋”，從而破壞密封質(zhì)量，降低性能。）
鹵化合物
  請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用無源晶振。即使少量的鹵素氣體，比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi)，都可能產(chǎn)生腐蝕。同時，請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂。
靜電
過高的靜電可能會損壞石英晶體諧振器，請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時候，請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路，并進行接地操作。