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ACT英國晶振,97050S貼片有源晶振,RSE1200BBISEPL‐PF[12MHz]晶振

頻率：1~160MHZ

尺寸：7.0*5.0mm

小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現(xiàn)在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也使產(chǎn)品帶來了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點,SMD高速自動安裝和高溫回流焊設計,Optionable待機輸出三態(tài)輸出功能,電源電壓范圍:1.8V~5V,高穩(wěn)定性,低抖動,低功耗,主要應用領域:無線通訊,高端智能手機,平板筆記本W(wǎng)LAN,藍牙,數(shù)碼相機,DSL和其他IT產(chǎn)品的晶振應用,三態(tài)功能,PC和LCDM等高端數(shù)碼領域,符合RoHS/無鉛.

訂購熱線：0755-27837162

ACT英國晶振,97050S貼片有源晶振,RSE1200BBISEPL‐PF[12MHz]晶振,ACT艾西迪晶振與Esterline研究和設計（ERD）的合作使我們能夠突破高精度貼片振蕩器技術的界限。這些突破性產(chǎn)品為石英晶振，TCXO和OCXO設立了新標準，創(chuàng)造了當今市場上性能最高，最精確的振蕩器技術。
ACT英國晶振,97050S貼片有源晶振,RSE1200BBISEPL‐PF[12MHz]晶振,無論您需要新技術，如M-SAC增強型振蕩器，還是簡單的基本石英晶振，艾西迪晶振的工程團隊都將幫助您為您的應用選擇合適的解決方案，并在整個設計周期和生產(chǎn)過程中為您提供支持。憑借30多年的頻率控制專業(yè)知識，我們很高興能夠應對您的設計挑戰(zhàn)和產(chǎn)品需求。

小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現(xiàn)在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也使產(chǎn)品帶來了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點,SMD高速自動安裝和高溫回流焊設計,Optionable待機輸出三態(tài)輸出功能,電源電壓范圍:1.8V~5V,高穩(wěn)定性,低抖動,低功耗,主要應用領域:無線通訊,高端智能手機,平板筆記本W(wǎng)LAN,藍牙,數(shù)碼相機,DSL和其他IT產(chǎn)品的晶振應用,三態(tài)功能,PC和LCDM等高端數(shù)碼領域,符合RoHS/無鉛.

ACT英國晶振,97050S貼片有源晶振,RSE1200BBISEPL‐PF[12MHz]晶振,貼片晶振晶片邊緣處理技術：貼片晶振是晶片通過滾筒倒邊，主要是為了去除晶振晶片的邊緣效應，在實際操作中機器運動方式設計、滾筒的曲率半徑、滾筒的長短、使用的研磨砂的型號、多少、填充物種類及多少等各項設計必須合理，有一項不完善都會使SMD晶振晶片的邊緣效應不能去除，而石英晶振晶片的諧振電阻過大，用在電路中Q值過小，從而電路不能振動或振動了不穩(wěn)定。

Parameters

Specification

Remarks

Frequency range

F_nom

1.0MHz ~ 160.0MHz

Supply voltage

Vcc

1.0V, 1.2V, 1.8V, 2.5V, 3.3V, 5.0V

±5% tolerance

Frequency stability

F_stb

±25.0ppm, ±50.0ppm, ±100.0ppm

Operating temperature range (°C)

Topr

‐ 10°C ~ +70°C, ‐40°C ~ +85°C

Storage temperature (°C)

Tstg

‐55°C ~ +150°C

Output waveform

HCMOS

Output load

15pF typical

30pF, 50pF load available for 3.3V, 5.0V

Output voltage high

Voh

90% of Vcc min

Output voltage low

Vol

10% of Vcc max

Rise time/Fall time

Tr,Tf

1.0V, 1.2V :6 n sec. (Max.)

Measured between 10% to 90% of waveform

1.8V, 2.5V: 7 n sec. (Max.)

3.3V, 5.0V: 10 n sec. (Max.)

Duty cycle

45%/55%, 40%/60%

Start‐ up time

T_str

5.0m sec max (1MHz~32MHz)

10.0m sec max (32MHz~160MHz)

Aging

F_age

±3.0 ppm per year (max)

Moisture sensitive level

MSL

ESD sensitive device

Yes

Tristate function (pad 1)

>70% of Vcc to pad 1: enable oscillator output

<30% of Vcc to pad 1: Disable oscillator output (high impedance); Disable time 150 nsec max

No connection to Pad 1 : enable oscillator output

抗沖擊
  晶振可能會在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落或在貼裝過程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用。
  暴露于輻射環(huán)境會導致石英貼片晶振晶體性能受到損害，因此應避免照射。
化學制劑/pH值環(huán)境
  請勿在PH值范圍可能導致腐蝕或溶解晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產(chǎn)品。
粘合劑
請勿使用可能導致SMD晶振所用的封裝材料，終端，組件，玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。（比如，氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶體單元的金屬“蓋”，從而破壞密封質量，降低性能。）ACT英國晶振,97050S貼片有源晶振,RSE1200BBISEPL‐PF[12MHz]晶振.
鹵化合物
  請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用貼片石英晶振。即使少量的鹵素氣體，比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi)，都可能產(chǎn)生腐蝕。同時，請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂。
靜電
過高的靜電可能會損壞進口有源晶振，請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導電材料。在處理的時候，請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路，并進行接地操作。