92520S時鐘有源晶體,ACT進口晶振,RSB2400BBISEPL‐PF[24MHz]振蕩器
頻率:1~150MHZ
尺寸:2.5*2.0mm
92520S時鐘有源晶體,ACT進口晶振,RSB2400BBISEPL‐PF[24MHz]振蕩器,ACT艾西迪晶振與Esterline研究和設(shè)計(ERD)的合作使我們能夠突破高精度貼片振蕩器技術(shù)的界限。這些突破性產(chǎn)品為石英晶振,TCXO和OCXO設(shè)立了新標(biāo)準(zhǔn),創(chuàng)造了當(dāng)今市場上性能最高,最精確的振蕩器技術(shù)。
92520S時鐘有源晶體,ACT進口晶振,RSB2400BBISEPL‐PF[24MHz]振蕩器,無論您需要新技術(shù),如M-SAC增強型振蕩器,還是簡單的基本石英晶振,艾西迪晶振的工程團隊都將幫助您為您的應(yīng)用選擇合適的解決方案,并在整個設(shè)計周期和生產(chǎn)過程中為您提供支持。憑借30多年的頻率控制專業(yè)知識,我們很高興能夠應(yīng)對您的設(shè)計挑戰(zhàn)和產(chǎn)品需求。
有源晶振,是指晶體本身起振需要外部電壓供應(yīng),起振后可直接驅(qū)動CMOS集成電路,產(chǎn)品本身已實現(xiàn)與薄型IC(TSSOP封裝,TVSOP封裝)同樣的1mm厚度,斷開時的消費電流是15µA以下,編帶包裝方式可對應(yīng)自動搭載及IR回流焊接(無鉛對應(yīng))產(chǎn)品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應(yīng)對不同IC產(chǎn)品需要.
92520S時鐘有源晶體,ACT進口晶振,RSB2400BBISEPL‐PF[24MHz]振蕩器,貼片晶振晶片邊緣處理技術(shù):貼片晶振是晶片通過滾筒倒邊,主要是為了去除晶振晶片的邊緣效應(yīng),在實際操作中機器運動方式設(shè)計、滾筒的曲率半徑、滾筒的長短、使用的研磨砂的型號、多少、填充物種類及多少等各項設(shè)計必須合理,有一項不完善都會使SMD晶振晶片的邊緣效應(yīng)不能去除,而石英晶振晶片的諧振電阻過大,用在電路中Q值過小,從而電路不能振動或振動了不穩(wěn)定。
Parameters | Specification | Remarks | ||||||||||||||||||||||||||
Frequency range | F_nom | 1.0MHz ~ 150.0MHz | ||||||||||||||||||||||||||
Supply voltage | Vcc | 1.8V, 2.5V, 3.3V | ±5% tolerance | |||||||||||||||||||||||||
Frequency stability | F_stb | ± 25.0ppm, ±50.0ppm, ±100.0ppm | ||||||||||||||||||||||||||
Operating temperature range (°C) | Topr | ‐10°C ~ +70°C, ‐20°C ~ +70°C, ‐40°C ~ +85°C | ||||||||||||||||||||||||||
Storage temperature (°C) | Tstg | ‐55°C ~ +150°C | ||||||||||||||||||||||||||
Output waveform | HCMOS | |||||||||||||||||||||||||||
Output load | 15pF typical | 30pF, 50pF load available for 3.3V | ||||||||||||||||||||||||||
Output voltage high | Voh | 90% of Vcc min | ||||||||||||||||||||||||||
Output voltage low | Vol | 10% of Vcc max | ||||||||||||||||||||||||||
Rise time/Fall time | Tr,Tf | 1.8V, 2.5V :7nsec max | Measured between 10% to 90% of waveform | |||||||||||||||||||||||||
3.3V: 10nsec max | ||||||||||||||||||||||||||||
Duty cycle | 45%/55%, 40%/60% | |||||||||||||||||||||||||||
Start‐up time | T_str | 5.0m sec max (1MHz~32MHz) | 10.0m sec max (32MHz~150MHz) | |||||||||||||||||||||||||
Aging | F_age | ±3.0 ppm per year (max) | ||||||||||||||||||||||||||
Moisture sensitive level | MSL | 1 | ||||||||||||||||||||||||||
ESD sensitive device | Yes | |||||||||||||||||||||||||||
Tristate function (pad 1) | >70% of Vcc to pad 1: enable oscillator output | |||||||||||||||||||||||||||
<30% of Vcc to pad 1: Disable oscillator output (high impedance); Disable time 150 nsec max | ||||||||||||||||||||||||||||
No connection to Pad 1 : enable oscillator output |
抗沖擊
晶振可能會在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落或在貼裝過程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用。92520S時鐘有源晶體,ACT進口晶振,RSB2400BBISEPL‐PF[24MHz]振蕩器.
輻射
暴露于輻射環(huán)境會導(dǎo)致石英貼片晶振晶體性能受到損害,因此應(yīng)避免照射。
化學(xué)制劑/pH值環(huán)境
請勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產(chǎn)品。
粘合劑
請勿使用可能導(dǎo)致SMD晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。 (比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶體單元的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能。)
鹵化合物
請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用貼片石英晶振。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕。同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂。
靜電
過高的靜電可能會損壞進口有源晶振,請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進行接地操作。
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JLX-PD
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