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艾西迪晶振,90H53有源振蕩器,HB00003BBIHEPL-PF[32.768Khz]晶振

頻率：32.768kHz,10.0kHz-100.0kHz

尺寸：5.0*3.2mm

貼片表晶32.768K系列具有超小型,薄型,質(zhì)地輕的表面貼片音叉型石英晶體振蕩器,晶振產(chǎn)品本身具備優(yōu)良的耐熱性,耐環(huán)境特性,在辦公自動(dòng)化,家電領(lǐng)域,移動(dòng)通信領(lǐng)域可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,符合無鉛標(biāo)準(zhǔn),滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求,金屬外殼的石英晶振使得產(chǎn)品在封裝時(shí)能發(fā)揮比陶瓷晶振外殼更好的耐沖擊性能.

訂購(gòu)熱線：0755-27837162

艾西迪晶振,90H53有源振蕩器,HB00003BBIHEPL-PF[32.768Khz]晶振，全球分銷網(wǎng)絡(luò),作為discoverIE Group plc的一部分，通過我們的獨(dú)立分銷合作伙伴，ACT晶振可以在全球范圍內(nèi)支持您的頻率控制要求。
我們不僅僅是頻率控制,以工程為主導(dǎo)的技術(shù)支持
定制設(shè)計(jì)/非標(biāo)準(zhǔn)頻率，晶振和微控制器匹配服務(wù)
樣品庫存,位于英國(guó)的內(nèi)部技術(shù)實(shí)驗(yàn)室
廣泛而成熟的全球分銷網(wǎng)絡(luò),全面的售后支持
庫存管理
通過ISO9001和TS16949認(rèn)證,靈活性 - 快速周轉(zhuǎn)時(shí)間，低MOQ
廣泛的產(chǎn)品
艾西迪晶振,90H53有源振蕩器,HB00003BBIHEPL-PF[32.768Khz]晶振，無論您需要新技術(shù)，如M-SAC增強(qiáng)型振蕩器，還是簡(jiǎn)單的基本石英晶振，我們的工程團(tuán)隊(duì)都將幫助您為您的應(yīng)用選擇合適的解決方案，并在整個(gè)設(shè)計(jì)周期和生產(chǎn)過程中為您提供支持。

ACT晶振公司除了石英晶體水晶組件,同時(shí)量產(chǎn)LC濾波器,SAW,實(shí)時(shí)時(shí)鐘,陶瓷電子和天線等產(chǎn)品,但頻率元件一直都是艾西迪晶振公司最重要的模塊,除此之外,陶瓷諧振器,SMD晶振等都深受各大知名企業(yè)的歡迎。

艾西迪晶振,90H53有源振蕩器,HB00003BBIHEPL-PF[32.768Khz]晶振，貼片表晶32.768K系列具有超小型,薄型,質(zhì)地輕的表面貼片音叉型石英晶體振蕩器,晶振產(chǎn)品本身具備優(yōu)良的耐熱性,耐環(huán)境特性,在辦公自動(dòng)化,家電領(lǐng)域,移動(dòng)通信領(lǐng)域可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,符合無鉛標(biāo)準(zhǔn),滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求,金屬外殼的石英晶振使得產(chǎn)品在封裝時(shí)能發(fā)揮比陶瓷晶振外殼更好的耐沖擊性能.

Parameters		Specification	Remarks
Frequency range	F_nom	32.768kHz, 10.0kHz ~ 100.0kHz
Supply voltage	Vcc	1.8V, 2.5V, 3.3V	±10% tolerance
Supply voltage vs Frequency sensitivity		±1.0ppm max
Frequency stability	F_stb	±25.0ppm, ±50.0ppm , ±100.0ppm
Aging	F_age	±3.0ppm max for 1?? year	Thereafter ±2.0ppm max/per year
Operating temperature range (°C)	Topr	‐10°C ~ +70°C, ‐40°C ~ +85°C
Storage temperature (°C)	Tstg	‐55°C ~ +125°C
Output waveform		HCMOS
Output load		15pF typical
Output voltage high	Voh	90% Vcc min
Output voltage low	Voh	10% Vcc max
Rise time	Tr	Table 1	Measured between 10% to 90% of Vcc
Fall time Tf Table 1	Tr	Table 1	Measured between 10% to 90% of Vcc
Duty cycle		45%/55%
Current consumption	Icc	Table 1
Start‐up time	T_str	5.0msec max, 0.8msec typical
Tristate		Pad 1 enable high
Enable/disable time		Enable : 1msec max ; Disable : 0.1μsec max
Moisture sensitive level	MSL	1
ESD sensitive device		Yes

抗沖擊
  晶振可能會(huì)在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落或在貼裝過程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過沖擊請(qǐng)勿使用。艾西迪晶振,90H53有源振蕩器,HB00003BBIHEPL-PF[32.768Khz]晶振.
輻射
  暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致貼片石英晶振性能受到損害，因此應(yīng)避免照射。
化學(xué)制劑/pH值環(huán)境
  請(qǐng)勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品。
粘合劑
請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致貼片晶振所用的封裝材料，終端，組件，玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。（比如，氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶體單元的金屬“蓋”，從而破壞密封質(zhì)量，降低性能。）
鹵化合物
  請(qǐng)勿在鹵素氣體環(huán)境下使用貼片晶振。即使少量的鹵素氣體，比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi)，都可能產(chǎn)生腐蝕。同時(shí)，請(qǐng)勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹脂。
靜電
過高的靜電可能會(huì)損壞有源晶振，請(qǐng)注意抗靜電條件。請(qǐng)為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時(shí)候，請(qǐng)使用電焊槍和無高電壓泄漏的測(cè)量電路，并進(jìn)行接地操作。