ACT晶振,5032HSMX-4四腳貼片晶振,QA0800-RF-KOMEF1L-PF[8.000MHz]晶振
頻率:8~54MHZ
尺寸:5.0*3.2mm
ACT晶振,5032HSMX-4四腳貼片晶振,QA0800-RF-KOMEF1L-PF[8.000MHz]晶振,ACT艾西迪晶振與Esterline研究和設(shè)計(jì)(ERD)的合作使我們能夠突破高精度振蕩器技術(shù)的界限。這些突破性產(chǎn)品為石英晶振,TCXO和OCXO設(shè)立了新標(biāo)準(zhǔn),創(chuàng)造了當(dāng)今市場(chǎng)上性能最高,最精確的振蕩器技術(shù)。
無論您需要新技術(shù),如M-SAC增強(qiáng)型振蕩器,還是簡(jiǎn)單的基本無源晶振,艾西迪晶振的工程團(tuán)隊(duì)都將幫助您為您的應(yīng)用選擇合適的解決方案,并在整個(gè)設(shè)計(jì)周期和生產(chǎn)過程中為您提供支持。憑借30多年的頻率控制專業(yè)知識(shí),我們很高興能夠應(yīng)對(duì)您的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)和產(chǎn)品需求。
ACT晶振,5032HSMX-4四腳貼片晶振,QA0800-RF-KOMEF1L-PF[8.000MHz]晶振,智能手機(jī)晶振,產(chǎn)品具有高精度超小型的表面貼片型石英晶體振蕩器,最適用于移動(dòng)通信終端的基準(zhǔn)時(shí)鐘等移動(dòng)通信領(lǐng)域.比如智能手機(jī),無線通信,衛(wèi)星導(dǎo)航,平臺(tái)基站等較高端的數(shù)碼產(chǎn)品,晶振本身小型,薄型具備各類移動(dòng)通信的基準(zhǔn)時(shí)鐘源用頻率,貼片晶振具有優(yōu)良的電氣特性,耐環(huán)境性能適用于移動(dòng)通信領(lǐng)域,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.
貼片晶振晶片邊緣處理技術(shù):貼片晶振是晶片通過滾筒倒邊,主要是為了去除晶振晶片的邊緣效應(yīng),在實(shí)際操作中機(jī)器運(yùn)動(dòng)方式設(shè)計(jì)、滾筒的曲率半徑、滾筒的長(zhǎng)短、使用的研磨砂的型號(hào)、多少、填充物種類及多少等各項(xiàng)設(shè)計(jì)必須合理,有一項(xiàng)不完善都會(huì)使SMD晶振晶片的邊緣效應(yīng)不能去除,而石英晶振晶片的諧振電阻過大,用在電路中Q值過小,從而電路不能振動(dòng)或振動(dòng)了不穩(wěn)定。
Parameters | Specification | Remarks | ||
Frequency range |
F_nom | 8.00MHz ~ 54.00MHz | Fundamental | |
Frequency tolerance | F_tol | ±10.0ppm | ||
Frequency stability over operating temperature range | F_stb | ±10.0ppm | Over ‐30°C ~ +85°C | |
Frequency aging | F_age | ±1.0ppm | At 25°C, 1?? Year | |
Operating temperature range | T_use | ‐40°C ~ +85°C | ||
Storage temperature | T_stg | ‐55°C ~ +125°C | ||
Load capacitance | CL | 8.0pF ~ 30.0pF, series | ||
Equivalent series resistance | 8.0 ~ 9.999MHz | ESR | 120Ω max | |
10.0 ~ 11.999MHz | 80Ω max | |||
12.0 ~ 23.999MHz | 50Ω max | |||
24.0 ~ 54.000MHz | 30Ω max | |||
Shunt capacitance | C0 | 7.0pF max | ||
Drive level | DL | 300μW max | 100μW typical | |
Moisture sensitivity level | MSL | 1 (unlimited) | ||
Insulation resistance | IR | 500MΩ min | At 100V DC |
抗沖擊
晶振可能會(huì)在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落或在貼裝過程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過沖擊請(qǐng)勿使用。
輻射
暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致石英貼片晶振晶體性能受到損害,因此應(yīng)避免照射。
化學(xué)制劑/pH值環(huán)境
請(qǐng)勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品。
粘合劑
請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致SMD無源晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。 (比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶體單元的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能。)
鹵化合物
請(qǐng)勿在鹵素氣體環(huán)境下使用貼片石英晶振。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕。同時(shí),請(qǐng)勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹脂。 ACT晶振,5032HSMX-4四腳貼片晶振,QA0800-RF-KOMEF1L-PF[8.000MHz]晶振.
靜電
過高的靜電可能會(huì)損壞石英晶體諧振器,請(qǐng)注意抗靜電條件。請(qǐng)為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時(shí)候,請(qǐng)使用電焊槍和無高電壓泄漏的測(cè)量電路,并進(jìn)行接地操作。
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